[發(fā)明專利]等離子體發(fā)生裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310631606.0 | 申請日: | 2013-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN103857167B | 公開(公告)日: | 2017-11-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 弓削政郞;竹之下一利;山田幸香;宮本誠 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H05H1/24 | 分類號: | H05H1/24;A61L9/22;H01T23/00 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司11286 | 代理人: | 韓明星,王秀君 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 發(fā)生 裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種等離子體發(fā)生裝置。
背景技術
由于最近的特異反應性、哮喘、過敏性癥狀持有者的增加或新型流感的暴發(fā)性流行等中所能看到的感染性風險的增加等原因,使得對殺菌或除臭等生活環(huán)境的空氣質量控制的要求越來越高。此外,隨著生活變得富裕,保管食品的量增加或者吃剩的食品的保管機會在增加,從而以冰箱為代表的保管機器內的環(huán)境控制的重要性也變得越來越大。
并且,在大氣中產(chǎn)生等離子體并利用其中生成的化學活性種來試圖殺菌或除臭的手段最近一直在增加。
通過放電而在大氣中產(chǎn)生等離子體并利用其中生成的離子或自由基(以下,活性種)執(zhí)行殺菌或除臭的技術可分類成以下2種形式。
(1)使在大氣中浮游的細菌或病毒(以下,浮游細菌),或惡臭物質(以下,惡臭)在裝置內的限定的容積內與活性種反應的,所謂的被動型等離子體發(fā)生裝置(例如,專利文獻1)
(2)將在等離子體發(fā)生部生成的活性種向比(1)容積更大的封閉空間(例如,客廳、衛(wèi)生間、轎車的車內等)釋放后,通過大氣中的活性種和浮游細菌或惡臭之間發(fā)生碰撞而使其反應的,所謂的能動型等離子體發(fā)生裝置(例如,專利文獻2)
但是在被動型等離子體發(fā)生裝置中,效果僅限于流入到該裝置的空氣流中所包含的浮游細菌或惡臭,而對于能動型等離子體發(fā)生裝置的情況,只能期待針對濃度低的浮游細菌、附著細菌、惡臭的效果。即,利用現(xiàn)有技術能實現(xiàn)的,僅限于“浮游細菌的殺菌和除臭”或“濃度低的浮游細菌、附著細菌的殺菌及附著惡臭的除臭”中之一。
這里,如專利文獻3中所示,作為兼?zhèn)渖鲜龅谋粍有图澳軇有偷牡入x子體發(fā)生裝置,考慮到的是,使具有流體流通孔的2個導體基板對向的同時,在導體基板的對向面中的至少一個形成電介質膜,并在形成于2個基板之間的間隙發(fā)生等離子體放電。
然而,由于在從流體流通孔相隔的間隙區(qū)域發(fā)生放電,因此具有滯留于該間隙的空氣中的氧氣被臭氧化而使臭氧的發(fā)生量變多的問題。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
1.日本專利公開第2002-224211號公報
2.日本專利公開第2003-79714號公報
3.日本專利公開第2007-250284號公報
發(fā)明內容
技術問題
本發(fā)明是為了解決如上所述技術問題而提供的,所期望解決的問題是僅在與空氣接觸的部分上產(chǎn)生等離子體而消除在不必要的部分上的放電并抑制臭氧的發(fā)生。
技術方案
根據(jù)本發(fā)明的等離子體發(fā)生裝置,其特征在于,具備:圍繞流路而形成的環(huán)形的低電介質層;夾設低電介質層的同時,圍繞流路而形成的第一電極及第二電極;在第一電極或第二電極中的至少一個與低電介質層之間,圍繞流路而形成的環(huán)形的高電介質層。
據(jù)此,由于具有圍繞用于使空氣流通的流路而形成的環(huán)形的低電介質層,并構成為在低電介質層產(chǎn)生等離子體,因此可以僅在與流通空氣接觸的部分產(chǎn)生等離子體而抑制臭氧的產(chǎn)生。并且,由于在不必要的部分不產(chǎn)生等離子體,因此可提高電力效率。進而,可通過僅在與空氣流通的流路面對的部分上產(chǎn)生等離子體的構成,使空氣和等離子體有效地接觸,從而可提高除臭、分解及殺菌性能。
作為具體實施的一方面,優(yōu)選為,包含具有形成流路的流路形成孔的絕緣基板,并在流路形成孔的內側周圍面形成低電介質層及高電介質層。這樣,只要在流路形成孔的內側周圍面形成低電介質層及高電介質層,即可使等離子體發(fā)生裝置的構成變得簡單。并且,由于可以與絕緣基板的厚度無關地產(chǎn)生等離子體,因此可提高設計自由度。根據(jù)這種構成,如果對第一電極及第二電極施加電壓,則電場產(chǎn)生為使大部分電力線通過高電介質層而發(fā)生電場,并且在低電介質層使電力線朝流路的內側突出而集中電場,從而使等離子體的發(fā)生變得簡單。
優(yōu)選為,在絕緣基板的流路形成孔的一側的開口邊緣具有環(huán)形的第一電極,在絕緣基板的流路形成孔的另一側的開口邊緣具有環(huán)形的第二電極。這里,第一電極及第二電極的形狀優(yōu)選為,從流路形成孔的開口邊緣到電極的半徑方向內側端的距離為1μm至500μm,導體槽的寬度為10μm至5000μm,并且電阻率為1Ω(每單位長度)以上。這樣,由于可以減小第一電極及第二電極的面積而使靜電容量變小,因此可減少對電極施加電壓的驅動電路的負荷。由此,既可以實現(xiàn)使絕緣基板大面積化而具有流路形成孔的構成,又能抑制電容量的增加。
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