[發(fā)明專利]監(jiān)控電子束缺陷掃描儀靈敏度的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310631529.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103645211A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 范榮偉;倪棋梁;龍吟;陳宏璘 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N27/00 | 分類號(hào): | G01N27/00;G01R35/00 |
| 代理公司: | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;陶金龍 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 監(jiān)控 電子束 缺陷 掃描儀 靈敏度 方法 | ||
1.一種監(jiān)控電子束缺陷掃描儀靈敏度的方法,其特征在于,包括:
于在線產(chǎn)品晶圓上建立一個(gè)或多個(gè)缺陷測(cè)試模塊,所述缺陷測(cè)試模塊為標(biāo)準(zhǔn)SRAM結(jié)構(gòu)中改變通孔與有源區(qū)的接觸面積得到;
在所述通孔中的填充金屬平坦化后,以所述缺陷測(cè)試模塊為掃描區(qū)域,建立圖片抓取程式,通過(guò)電子束缺陷掃描儀掃描所述缺陷測(cè)試模塊,其中,根據(jù)所述缺陷測(cè)試模塊中通孔與有源區(qū)的接觸面積不同,掃描結(jié)果也不同;
將所述缺陷測(cè)試模塊的掃描結(jié)果與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)SRAM結(jié)構(gòu)掃描結(jié)果相對(duì)比,判斷所述電子束缺陷掃描儀檢測(cè)缺陷的能力,進(jìn)而監(jiān)控所述電子束缺陷掃描儀的靈敏度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種監(jiān)控電子束缺陷掃描儀靈敏度的方法,其特征在于,所述缺陷測(cè)試模塊位于在線產(chǎn)品晶圓的切割道上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種監(jiān)控電子束缺陷掃描儀靈敏度的方法,其特征在于,所述缺陷測(cè)試模塊為多個(gè),其中所述多個(gè)缺陷測(cè)試模塊間的通孔與有源區(qū)的接觸面積互不相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種監(jiān)控電子束缺陷掃描儀靈敏度的方法,其特征在于,所述多個(gè)缺陷測(cè)試模塊間的通孔與有源區(qū)的接觸面積互不相同時(shí),掃描結(jié)果具有不同的灰階度。其中,所述缺陷測(cè)試模塊中的通孔完全與有源區(qū)相連時(shí),掃描結(jié)果最亮;所述缺陷測(cè)試模塊中的通孔完全與有源區(qū)不相連時(shí),掃描結(jié)果最暗。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種監(jiān)控電子束缺陷掃描儀靈敏度的方法,其特征在于,將多個(gè)所述缺陷測(cè)試模塊的掃描結(jié)果與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)SRAM結(jié)構(gòu)掃描結(jié)果相對(duì)比,判斷所述電子束缺陷掃描儀檢測(cè)多個(gè)缺陷的能力,進(jìn)而監(jiān)控所述電子束缺陷掃描儀的靈敏度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種監(jiān)控電子束缺陷掃描儀靈敏度的方法,其特征在于,所述電子束缺陷掃描儀采用的是正電勢(shì)工作條件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種監(jiān)控電子束缺陷掃描儀靈敏度的方法,其特征在于,所述金屬為鎢。
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