[發(fā)明專利]用于離子注入機預(yù)冷腔的晶片固定裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310631466.7 | 申請日: | 2013-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN103646840A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 嚴(yán)駿;裴雷洪 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/20 | 分類號: | H01J37/20 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;陶金龍 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 離子 注入 預(yù)冷 晶片 固定 裝置 | ||
1.一種晶片固定裝置,用于將晶片固定于離子注入機的預(yù)冷腔中,包括:
絕緣層,其為所述固定裝置表面層;
基體,位于所述絕緣層下方并支撐所述絕緣層,所述基體中設(shè)有至少一冷卻液流道,用于注入冷卻液對所述晶片進(jìn)行冷卻;
固定環(huán),設(shè)于所述絕緣層上方,用于對所述晶片施加一向下壓力以將所述晶片固定于所述固定裝置上;
驅(qū)動裝置,用于帶動所述固定環(huán)向下運動以將所述晶片壓迫于所述固定裝置上,以及帶動所述固定環(huán)向上運動以供取下或安裝所述晶片。
2.如權(quán)利要求2所述的晶片固定裝置,其特征在于,所述固定環(huán)包括一環(huán)體和至少一凸部,所述環(huán)體內(nèi)徑略大于所述晶片半徑,所述凸部自所述環(huán)體內(nèi)側(cè)向其中心凸起,用于將所述晶片壓迫于所述固定裝置上。
3.如權(quán)利要求3所述的晶片固定裝置,其特征在于,所述凸部為多個,均勻分布于所述環(huán)體上。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的晶片固定裝置,其特征在于,所述晶片固定裝置上還設(shè)有一氣體流道,其自底部貫通所述固定裝置,用于向所述晶片背面與絕緣層之間吹送氣體。
5.如權(quán)利要求4所述的晶片固定裝置,其特征在于,所述驅(qū)動裝置還包括一壓力調(diào)節(jié)單元,用于調(diào)節(jié)所述固定環(huán)施加于所述晶片的壓力。
6.如權(quán)利要求4所述的晶片固定裝置,其特征在于,所述固定環(huán)由彈性材料制成。
7.一種離子注入機,包括預(yù)冷腔,所述預(yù)冷腔中設(shè)有如權(quán)利要求1至3中任一項所述的晶片固定裝置,用于將晶片固定于所述預(yù)冷腔中進(jìn)行冷卻工藝。
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