[發(fā)明專利]鋁薄膜工藝晶須缺陷的監(jiān)控方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310631450.6
• 申請(qǐng)日: 2013-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103646897A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡彬彬;韓曉剛;陳建維;張旭升
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陶金龍

1.一種鋁薄膜工藝中晶須缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，包括以下步驟：

在所述鋁薄膜工藝過(guò)程中，通過(guò)殘氣分析儀對(duì)進(jìn)行所述鋁薄膜工藝的反應(yīng)腔室內(nèi)的各殘余氣體進(jìn)行實(shí)時(shí)分析處理，得到晶須監(jiān)控參數(shù)，所述晶須監(jiān)控參數(shù)為根據(jù)所述各殘余氣體中將引起晶須缺陷的特定殘余氣體的分壓值所設(shè)定的指數(shù)；

判斷所述晶須監(jiān)控參數(shù)是否大于等于閾值；以及

若所述晶須監(jiān)控參數(shù)大于等于所述閾值，停止所述鋁薄膜工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜工藝中晶須缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，所述各殘余氣體中將引起晶須缺陷的特定殘余氣體為含碳、氫有機(jī)分子基團(tuán)的氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜工藝中晶須缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，所述特定殘余氣體為C₂H₃及C₂H₅O。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜工藝中晶須缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，所述閾值為開(kāi)始發(fā)生晶須缺陷時(shí)根據(jù)所述特定殘余氣體的分壓值所設(shè)定的指數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜工藝中晶須缺陷的監(jiān)控方法，其特征在于，所述鋁薄膜工藝為PVD沉積鋁薄膜工藝，所述反應(yīng)腔室為PVD腔室。