[發(fā)明專利]用于透明氧化物電極的表面改性劑、表面改性的透明氧化物電極及其生產(chǎn)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310631216.3
• 申請日: 2013-11-28
• 公開（公告）號: CN103848859A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 清森步;伊藤雄佑
• 申請（專利權(quán)）人: 信越化學工業(yè)株式會社
• 主分類號: C07F7/18
• 分類號: C07F7/18;C07F7/08;H01L51/52
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 權(quán)鮮枝

1.一種透明氧化物電極的表面改性劑，包括由通式(1)代表的活性甲硅烷基化合物：

Rf-X-A-SiR¹_3-n(OR²)_n????(1)

其中

Rf是具有6至10個碳原子的芳香基基團，其可以具有烷基取代基，該烷基取代基具有1至5個碳原子，其中用氟原子取代至少一個氫原子，

X代表從-O-、-NH-、-C(=O)O-、-C(=O)NH-、-OC(=O)NH-、-NHC(=O)NH-選擇的二價基團，或單鍵，

A代表具有1至10個碳原子、芳香族二價烴基或單鍵的直鏈、支鏈或環(huán)式脂肪族二價烴基，

R¹是具有1至3個碳原子的單價烴基，

R²代表具有1至3個碳原子的單價烴基、乙酰基、丙酰基或者氫原子，以及

n是1至3的整數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明氧化物電極的表面改性劑，其中通式(1)中的X是單鍵。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的透明氧化物電極的表面改性劑，其中所述透明氧化物電極選自由摻氟的錫氧化物、摻鋁的鋅氧化物、摻銦的鋅氧化物、摻鎵的鋅氧化物、摻錫的銦氧化物和摻鈮的鈦氧化物構(gòu)成的組。

4.一種通過用透明氧化物電極的表面改性劑涂覆透明氧化物電極形成的表面改性的透明氧化物電極，所述表面改性劑包括由根據(jù)權(quán)利要求1的通式(1)代表的活性甲硅烷基化合物，其中所述表面改性的透明氧化物電極具有至少20mN/m的表面自由能。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面改性的透明氧化物電極，其中，在所述表面改性的透明氧化物電極的表面上，通過X射線光電子能譜獲得的所述電極表面上包含的硅原子數(shù)與金屬原子數(shù)的比值至少為0.04。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面改性的透明氧化物電極，其中所述表面改性的透明氧化物電極的表面均方根粗糙度的改變量的絕對值不超過0.5nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面改性的透明氧化物電極，其中所述表面改性的透明氧化物電極的表面改性層的平均厚度不超過3nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面改性的透明氧化物電極，其中所述透明氧化物電極選自由摻氟的錫氧化物、摻鋁的鋅氧化物、摻銦的鋅氧化物、摻鎵的鋅氧化物、摻錫的銦氧化物和摻鈮的鈦氧化物構(gòu)成的組。

9.一種表面改性的透明氧化物電極的生產(chǎn)方法，包括以下步驟：

將包含有根據(jù)權(quán)利要求1的通式(1)代表的活性甲硅烷基化合物的用于透明氧化物電極的表面改性劑與所述透明氧化物電極的表面接觸，并且

由此獲得表面改性的透明氧化物電極，

其中所述表面改性的透明氧化物電極的表面功函數(shù)比所述接觸步驟之前的所述透明氧化物電極的表面功函數(shù)大至少0.55eV。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的表面改性的透明氧化物電極的生產(chǎn)方法，其中所述接觸步驟是使用氣相接觸方法進行的，其中所述透明氧化物電極的表面暴露于氣化的所述表面改性劑的氣氛。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的表面改性的透明氧化物電極的生產(chǎn)方法，包括在所述接觸步驟之前活化所述透明氧化物電極表面的步驟。