[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 201310631139.1 | 申請日： | 2013-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN103855224B | 公開（公告）日： | 2018-11-09 |
| 發明（設計）人： | 德永肇;肥塚純一;岡崎健一;山崎舜平 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 葉曉勇;湯春龍 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，包括：
第一電極；
所述第一電極上的第一絕緣膜；
所述第一絕緣膜上的含有鎵的氧化物半導體膜；
在所述氧化物半導體膜上并與其接觸的第一氧化物膜；
所述第一氧化物膜上的第二電極；
所述第一氧化物膜上的第三電極；以及
在所述第一氧化物膜、所述第二電極及所述第三電極上并與所述第一氧化物膜、所述第二電極及所述第三電極接觸的第二氧化物膜，
其中，所述第一氧化物膜和所述第二氧化物膜中的每一個包括銦、鎵以及鋅，
其中，所述第二氧化物膜的電子親和能等于或低于所述第一氧化物膜的電子親和能，
并且其中，所述第二氧化物膜的電子親和能低于所述氧化物半導體膜的電子親和能。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體膜、所述第一氧化物膜及所述第二氧化物膜都含有相同金屬元素。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括在所述第二氧化物膜上并與其接觸的第二絕緣膜，其中所述第二絕緣膜包含過剩氧。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述第二絕緣膜是氧化物絕緣膜和氮化物絕緣膜的疊層。
5.一種半導體裝置，包括：
第一電極；
所述第一電極上的第一絕緣膜；
所述第一絕緣膜上的第一氧化物膜；
在所述第一氧化物膜上并與其接觸的含有鎵的氧化物半導體膜；
在所述氧化物半導體膜上并與其接觸的第二氧化物膜；
所述第二氧化物膜上的第二電極；
所述第二氧化物膜上的第三電極；以及
在所述第二氧化物膜、所述第二電極及所述第三電極上并與所述第二氧化物膜、所述第二電極及所述第三電極接觸的第三氧化物膜，
其中，所述第一氧化物膜、所述第二氧化物膜和所述第三氧化物膜中的每一個包括銦、鎵以及鋅，
并且其中所述氧化物半導體膜還含有銦和鋅。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體膜、所述第一氧化物膜、所述第二氧化物膜及所述第三氧化物膜都含有相同金屬元素。
7.根據權利要求5所述的半導體裝置，
其中，所述第三氧化物膜的電子親和能與所述第一氧化物膜的電子親和能及所述第二氧化物膜的電子親和能相等，
并且，所述第三氧化物膜的所述電子親和能低于所述氧化物半導體膜的電子親和能。
8.根據權利要求5所述的半導體裝置，
其中，所述第三氧化物膜的電子親和能低于所述第一氧化物膜的電子親和能及所述第二氧化物膜的電子親和能，
并且，所述第一氧化物膜的所述電子親和能及所述第二氧化物膜的所述電子親和能低于所述氧化物半導體膜的電子親和能。
9.根據權利要求5所述的半導體裝置，
其中，所述第三氧化物膜的電子親和能與所述第二氧化物膜的電子親和能相等，
所述第三氧化物膜的所述電子親和能高于所述第一氧化物膜的電子親和能，
并且，所述第三氧化物膜的所述電子親和能低于所述氧化物半導體膜的電子親和能。
10.根據權利要求5所述的半導體裝置，
其中，所述第三氧化物膜的電子親和能與所述第一氧化物膜的電子親和能相等，
所述第三氧化物膜的所述電子親和能低于所述第二氧化物膜的電子親和能，
并且，所述第三氧化物膜的所述電子親和能低于所述氧化物半導體膜的電子親和能。
11.根據權利要求5所述的半導體裝置，還包括在所述第三氧化物膜上并與其接觸的第二絕緣膜，其中所述第二絕緣膜包含過剩氧。
12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中所述第二絕緣膜是氧化物絕緣膜和氮化物絕緣膜的疊層。
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