[發明專利]一種監控多晶硅爐管晶圓厚度的方法

無效

• 申請號: 201310630346.5
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103681416A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 肖天金;毛智彪
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種監控片厚度的方法，其特征在于，包括一反應爐，所述反應爐內有一晶舟，所述晶舟上放置有若干片上下表面相鄰的晶圓，形成多個產品晶圓區和多個檔片晶圓區，每個所述產品晶圓區皆位于相鄰兩個檔片晶圓區之間；

其中，每個產品晶圓區的的頂部、中部和底部各放置有監控片，選取任意一產品晶圓區中部、底部位置處的監控片及頂部下方的監控片以檢測該產品晶圓區的各位置處的產品晶圓生長厚度。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，部分或全部所述產品晶圓區均設置有4片檢測晶圓；

其中，部分或全部所述產品晶圓區的頂部設置有兩片上下相鄰的監控片，另外兩片監控片分別位于該產品晶圓區的中部和底部。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，位于所述產品晶圓區的最頂部及與最底部的檢測晶圓分別與檔片晶圓區的檔片晶圓相鄰。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，各所述檢測晶圓的擺放位置根據工藝需求而設定。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，每個所述產品晶圓區均包括若干片上下表面相鄰分布的產品晶圓；每個所述檔片晶圓區均包括若干片上下表面相鄰分布的檔片晶圓。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述反應爐為立式反應爐。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述晶舟呈塔狀垂直立于所述反應爐內。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述晶舟在垂直方向上設置有多個插槽，所述插槽用于放置各所述產品晶圓、檔片晶圓和檢測晶圓。