[發明專利]一種改善小尺寸溝槽內薄膜生長效果的方法無效
| 申請號： | 201310630336.1 | 申請日： | 2013-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN103681512A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發明（設計）人： | 陳晉;宋振偉;徐友峰;陳玉文 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 尺寸 溝槽 薄膜 生長 效果 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善小尺寸溝槽內薄膜生長效果的方法，應用于非易失性閃存器件的制備工藝中，其特征在于，包括以下步驟：
提供一具有單元區的半導體器件，所述器件自下而上依次包括襯底、襯墊氧化層和多晶硅層，所述半導體器件形成有淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離內有填充層，所述填充層的頂端位于所述襯墊氧化層與所述多晶硅層上表面之間；
采用濕法刻蝕工藝去除部分所述多晶硅，以擴大所述淺溝槽隔離結構的窗口，然后進行后續的薄膜生長及后續工藝。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用清洗液對所述多晶硅層進行刻蝕，所述清洗液為氨水、雙氧水和水的混合試劑。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底為P型硅襯底。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜為ONO薄膜，所述ONO薄膜為氧化硅-氮化硅-氧化硅薄膜。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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