[發明專利]改善晶圓剝落缺陷的方法

有效

• 申請號: 201310630281.4
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103646867A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 范榮偉;龍吟;倪棋梁;陳宏璘
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陶金龍

技術領域

本發明涉及集成電路制造工藝領域，尤其涉及一種改善晶圓剝落缺陷的方法。

背景技術

在半導體集成電路制造中，各工藝過程會因為各種原因而引入微粒或者缺陷，隨著對超大規模集成電路高集成度和高性能的需求逐漸增加，半導體技術向著更小的特征尺寸發展，這些微粒或者缺陷對集成電路質量的影響也日趨顯著。

圖1a和1b為在線產品中一種類別剝落缺陷源頭分別在光學顯微鏡和電子顯微鏡下的影像。其形成的原因如圖2a-2f所示，具體步驟如下：

步驟S01：如圖2a和2b所示，在晶圓襯底100上涂布一層底部抗反射層200，使得該底部抗反射層200完全覆蓋于晶圓襯底100之上，然后選取一定距離進行洗邊以去除部分底部抗反射層200；

步驟S02：如圖2c，2d和2e，于上述底部抗反射層200上淀積一層光刻膠300，對晶圓襯底100進行顯影并刻蝕該晶圓襯底100，其中，該晶圓襯底100的晶邊上會殘留有多余的硅襯底100’；

步驟S03：如圖2f所示，當在晶圓襯底100上淀積一層絕緣層400時，該晶圓襯底100的晶邊上殘留硅襯底100’的裸露表面上會形成如圖1a和1b所示的剝落缺陷源頭500。

現有技術中，為避免晶圓襯底的晶邊上的剝落缺陷源頭對晶圓良率產生影響，常通過清洗晶邊的方式把可能的剝落源頭去除，以防止此類缺陷掉入晶圓內部影響良率。但是，此類方法的弊端在于剝落缺陷源頭一般在金屬沉積層才被發現，如果清洗不到位或清洗過度會造成更多的剝落缺陷，甚至造成嚴重的金屬污染。

因此，如何從根本上去除形成剝落缺陷源頭的關鍵因素，以避免剝落缺陷源頭的形成，進而改善晶圓剝落缺陷，提升晶圓的良率就顯得十分重要。

發明內容

本發明的目的為，針對上述問題，提出了一種改善晶圓剝落缺陷的方法，該方法通過在線晶圓將工藝進行到有源區的刻蝕步驟之后，采用化學機械研磨去除晶圓襯底晶邊上的殘留硅襯底，避免在后續工藝中于殘留硅襯底的裸露表面上生成剝落缺陷源頭，從根本上除形成剝落缺陷源頭的關鍵因素，避免剝落缺陷源頭的形成，進而改善了晶圓剝落缺陷，提升了晶圓的良率。

為實現上述目的，本發明一種改善晶圓剝落缺陷的方法，包括：

提供一晶圓襯底；

于所述晶圓襯底上依序涂布底部抗反射層和光刻膠；

對所述晶圓襯底進行顯影并刻蝕所述晶圓襯底，其中，所述晶圓襯底的晶邊上殘留有多余的硅襯底；

研磨所述晶圓襯底的晶邊以去除所述殘留的硅襯底。

優選地，在涂布所述底部抗反射層之后和涂布所述光刻膠之前，還包括對所述晶圓襯底的洗邊工藝。

優選地，所述洗邊工藝是以一定的洗邊距離來去除位于所述晶圓襯底的晶邊上的部分底部抗反射層。

優選地，所述晶圓襯底進行顯影后會有部分底部抗反射層的殘留。

優選地，所述殘留的底部抗反射層會在后續刻蝕所述晶圓襯底的進程中導致多余硅襯底的殘留。

優選地，所述研磨晶圓襯底的晶邊是對所述晶圓襯底的晶邊上的殘留硅襯底進行研磨。

優選地，所述晶圓襯底是通過吸附在轉動裝置上進行固定并研磨的

優選地，所述研磨為化學機械研磨。

優選地，去除所述殘留硅襯底，以避免在后續工藝中于所述殘留硅襯底的裸露表面上形成剝落缺陷源頭，改善晶圓剝落缺陷。

從上述技術方案可以看出，本發明一種改善晶圓剝落缺陷的方法，通過在線晶圓將工藝進行到有源區的刻蝕步驟之后，采用化學機械研磨去除晶圓襯底晶邊上的殘留硅襯底，避免在后續工藝中于殘留硅襯底的裸露表面上生成剝落缺陷源頭，從根本上除形成剝落缺陷源頭的關鍵因素，避免剝落缺陷源頭的形成，進而改善了晶圓剝落缺陷，提升了晶圓的良率。

附圖說明

為能更清楚理解本發明的目的、特點和優點，以下將結合附圖對本發明的較佳實施例進行詳細描述，其中：

圖1a和1b為在線產品中一種類別剝落缺陷源頭分別在光學顯微鏡和電子顯微鏡下的影像示意圖；

圖2a-2f為在線產品中一種類別剝落缺陷源頭的生成示意圖；

圖3a-3f為本發明一種改善晶圓剝落缺陷的方法的一具體實施例的示意圖；

圖4為本發明一種改善晶圓剝落缺陷的方法的一具體實施例的研磨過程中晶圓布置示意圖；

圖5為本發明一種改善晶圓剝落缺陷的方法的一具體實施例的流程圖。

具體實施方式