[發(fā)明專(zhuān)利]基于致命缺陷修正的缺陷掃描方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310630279.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103646894A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何理;許向輝;郭賢權(quán);陳超 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/66 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;陶金龍 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 致命 缺陷 修正 掃描 方法 | ||
1.一種基于致命缺陷修正的缺陷掃描方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟S01:將芯片置于缺陷掃描機(jī)臺(tái)上進(jìn)行掃描,提取所述芯片內(nèi)所有缺陷的特征信息;
步驟S02:將所有缺陷的特征信息輸入到缺陷數(shù)據(jù)庫(kù),獲取每一個(gè)缺陷所對(duì)應(yīng)的修正系數(shù)k,其中,該缺陷數(shù)據(jù)庫(kù)根據(jù)缺陷的所有特征信息對(duì)芯片良率的影響賦予不同的修正系數(shù)k;
步驟S03:統(tǒng)計(jì)所述芯片上所有經(jīng)修正的缺陷數(shù)量之和,與所述芯片的控制標(biāo)準(zhǔn)值w相比較,判斷芯片上的缺陷是否正常,其中,當(dāng)所述芯片上所有經(jīng)修正的缺陷數(shù)量之和小于控制標(biāo)準(zhǔn)值w時(shí),芯片上的缺陷正常。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于致命缺陷修正的缺陷掃描方法,其特征在于,在步驟S01之后還包括預(yù)判斷過(guò)程,其預(yù)先統(tǒng)計(jì)所述芯片上所有缺陷的數(shù)量之和,并與所述芯片的控制標(biāo)準(zhǔn)相比較。若所述芯片上所有缺陷的數(shù)量之和大于或等于控制標(biāo)準(zhǔn),則芯片上的缺陷不正常;若所述芯片上所有缺陷的數(shù)量之和小于控制標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)入步驟S02。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于致命缺陷修正的缺陷掃描方法,其特征在于,所述缺陷的特征信息包括位置、形狀、成分和尺寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于致命缺陷修正的缺陷掃描方法,其特征在于,所述缺陷數(shù)據(jù)庫(kù)通過(guò)在生產(chǎn)線上實(shí)時(shí)收集各種缺陷的特征信息,并根據(jù)每一缺陷的所有特征信息對(duì)芯片良率的影響賦予其相應(yīng)的修正系數(shù)k。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于致命缺陷修正的缺陷掃描方法,其特征在于,根據(jù)每一缺陷的形狀、成分和尺寸來(lái)綜合判斷其對(duì)芯片良率的影響,進(jìn)而賦予其相應(yīng)的修正系數(shù)k。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于致命缺陷修正的缺陷掃描方法,其特征在于,所述缺陷對(duì)芯片良率的影響越大,所對(duì)應(yīng)的修正系數(shù)k越大。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于致命缺陷修正的缺陷掃描方法,其特征在于,所述每一個(gè)缺陷經(jīng)修正后的數(shù)量為1+k或者1*k,其中,k的范圍為1~w。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種基于致命缺陷修正的缺陷掃描方法,其特征在于,所述每一個(gè)缺陷經(jīng)修正后的數(shù)量為1+k,其中,所述芯片上具有一顆所述缺陷就需報(bào)廢芯片時(shí),所述k值為w-1。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種基于致命缺陷修正的缺陷掃描方法,其特征在于,所述每一個(gè)缺陷經(jīng)修正后的數(shù)量為1*k,其中,所述芯片上具有一顆所述缺陷就需報(bào)廢芯片時(shí),所述k值為w。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





