[發明專利]一種版圖設計光刻工藝友善性檢測方法

有效

• 申請號: 201310630278.2
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103645611A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 王偉斌;闞歡;魏芳;張旭昇
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陶金龍

1.一種版圖設計光刻工藝友善性檢測方法，其特征在于，包括：

提供原始目標圖形數據，并對所述原始目標圖形數據進行過濾，確定潛在工藝熱點區域；

將所述潛在工藝熱點區域的圖形數據轉化為第一光刻目標圖形，并對所述第一光刻目標圖形進行第一光學鄰近修正，獲得第一光掩模目標圖形；

對所述第一光掩模目標圖形進行第一工藝偏差圖形模擬，確定所述第一光刻目標圖形中的第一工藝熱點區域，其中，所述第一工藝偏差圖形模擬的區域范圍與第一光刻目標圖形的區域相同；

對所述第一光刻目標圖形進行第一工藝熱點檢測，生成潛在熱點位置標記的第二光刻目標圖形；

對所述第二光刻目標圖形進行第二光學鄰近修正，獲得第二光掩模目標圖形，其中，所述第二光學鄰近修正的精度高于所述第一光學鄰近修正；

對所述第二光掩模目標圖形進行第二工藝偏差圖形模擬，確定所述第二光刻目標圖形中的第二工藝熱點區域，其中，所述第二工藝偏差圖形模擬的區域范圍與第二光刻目標圖形的區域相同；

對第二光刻目標圖形進行第二工藝熱點檢測，生成各項檢測的熱點位置標記，最終生成熱點位置索引文件。

2.根據權利要求1所述的一種版圖設計光刻工藝友善性檢測方法，其特征在于，所述對原始目標圖形數據進行過濾用以尋找易形成工藝熱點的區域，以確定所述潛在工藝熱點區域。

3.根據權利要求2所述的一種版圖設計光刻工藝友善性檢測方法，其特征在于，在對所述原始目標圖形數據進行過濾的步驟包括，尋找所述原始目標圖形數據中具有凸角或凹角的圖形，對所述凸角或凹角的頂點進行切邊，根據切邊的受限情況生成矩形區域，進而生成潛在工藝熱點區域。

4.根據權利要求3所述的一種版圖設計光刻工藝友善性檢測方法，其特征在于，所述潛在工藝熱點區域的大小為所述矩形區域的每邊放大最小設計規則尺寸的1.5倍后生成的區域。

5.根據權利要求1所述的一種版圖設計光刻工藝友善性檢測方法，其特征在于，所述第一光學鄰近修正中的迭代次數小于或等于所述第二光學鄰近修正的1/2。

6.根據權利要求5所述的一種版圖設計光刻工藝友善性檢測方法，其特征在于，所述第一光學鄰近修正為簡略快速的光學鄰近效應修正，其刪除所有特殊處理程序并調高修正反饋因子以實現第一光刻目標圖形的快速收斂。

7.根據權利要求1所述的一種版圖設計光刻工藝友善性檢測方法，其特征在于，所述第二光刻目標圖形中的第二工藝熱點區域是通過第一工藝熱點檢測生成的潛在熱點位置放大一設定尺寸而獲得。

8.根據權利要求7所述的一種版圖設計光刻工藝友善性檢測方法，其特征在于，若所述潛在工藝熱點為線夾斷，則所述設定尺寸為最大檢測尺寸的一半、且小于隙的最小設計尺寸；若所述潛在工藝熱點為線連接，則所述設定尺寸為最大檢測尺寸的一半、且小于線的最小設計尺寸；若所述潛在工藝熱點為孔接觸不良，則所述設定尺寸為孔隙的最小設計尺寸的一半、且小于孔隙的最小設計尺寸。

9.根據權利要求1-8任意一項所述的一種版圖設計光刻工藝友善性檢測方法，其特征在于，所述第一光刻目標圖形的區域為所述第一工藝熱點區域每邊放大一個光暈大小，所述光暈的取值要大于或等于光學模型半徑。

10.根據權利要求1-8任意一項所述的一種版圖設計光刻工藝友善性檢測方法，其特征在于，所述第二光刻目標圖形的區域為所述第二工藝熱點區域每邊放大一個光暈大小，所述光暈的取值要大于或等于光學模型半徑。