[發明專利]晶圓缺陷檢測方法有效
| 申請號: | 201310630277.8 | 申請日: | 2013-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN103646893A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發明(設計)人: | 倪棋梁;范榮偉;陳宏璘;龍吟 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;陶金龍 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 缺陷 檢測 方法 | ||
1.一種晶圓缺陷檢測方法,包括如下步驟:
a)、逐次移動晶圓,對晶圓各芯片區以第一掃描分辨率進行第一次缺陷檢測;
b)、根據所述第一次缺陷檢測獲得的缺陷分布信息將所述晶圓表面劃分為多個檢測區,并為每個所述檢測區分別設定一缺陷數量閾值,所述缺陷數量閾值與對應的所述檢測區的缺陷數量成正相關關系;
c)、逐次移動所述晶圓,以第二掃描分辨率分別對各檢測區進行第二次缺陷檢測;其中,所述第二掃描分辨率低于所述第一掃描分辨率;
d)、若任一所述檢測區缺陷數量超出其對應的缺陷數量閾值,則對該晶圓進行缺陷修復工藝。
2.如權利要求1所述的檢測方法,其特征在于,所述步驟a)中,所述第一次缺陷檢測還依據一初檢閾值,所述步驟a)中,所述第一次缺陷檢測得到的缺陷數量超出該初檢閾值時,向下執行所述步驟b),否則,結束所述檢測方法,其中,所述初檢閾值位于所述缺陷數量閾值的最低值與最高值之間。
3.如權利要求1所述的檢測方法,其特征在于,所述缺陷數量閾值最高值對應的檢測區位于所述晶圓邊緣部,所述缺陷數量閾值最低值對應的檢測區位于所述晶圓中央。
4.如權利要求1所述的檢測方法,其特征在于,所述步驟a)以及步驟c)中,所述第一次缺陷檢測、第二次缺陷檢測由同一臺光學掃描儀以不同的掃描參數實現,所述掃描參數至少包括掃描分辨率。
5.如權利要求1所述的檢測方法,其特征在于,所述晶圓置于一載物臺上,所述載物臺包括一水平軌道和一垂直軌道,所述步驟a)以及步驟c)中,所述載物臺沿所述水平軌道或垂直軌道運動以移動所述晶圓。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





