[發明專利]離子注入角度監控方法

有效

• 申請號: 201310630276.3
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103646892B
• 公開（公告）日: 2016-11-16
• 發明（設計）人: 胡榮;戴樹剛
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01J37/317
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陶金龍

1.一種離子注入角度監控方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一晶片；

在上述晶片中，利用離子注入機按不同的注入角度注入預定能量、劑量的離子，并進行快速熱退火處理；

在以每一注入角度進行離子注入和快速熱退火處理之后，均進行數據測量，獲得所述不同注入角度下的晶片電阻值，建立電阻值—注入角度特征曲線；

根據所述電阻值—注入角度特征曲線確定監控參考角度，并將該監控參考角度、預定能量、劑量的離子設為離子注入條件；

定期在所述離子注入條件下進行離子注入，并測量相應的晶片電阻值；以及

根據所測量的晶片電阻值與電阻值—注入角度特征曲線確定離子注入角度的準確性。

2.根據權利要求1所述的離子注入角度監控方法，其特征在于，所述監控參考角度為所述不同注入角度中對應于所述電阻值—注入角度特征曲線的斜率為最大的注入角度。

3.根據權利要求1所述的離子注入角度監控方法，其特征在于，根據所測量的晶片電阻值與電阻值—注入角度特征曲線確定離子注入角度的準確性的步驟包括：

將所測量的晶片電阻值減去所述監控參考角度對應的晶片電阻值得到一差值；以及

將該差值與所述監控參考角度對應的晶片電阻值相比得到離子注入角度的偏差，所述離子注入角度的偏差與所述離子注入角度的準確性成反比。

4.根據權利要求1所述的離子注入角度監控方法，其特征在于，所述離子注入機的注入能量范圍為0.5～1500千電子伏，注入的離子的劑量范圍為1E11～1E16。

5.一種離子注入角度監控方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一晶片；

在上述晶片中，利用離子注入機按不同的注入角度注入預定能量、劑量的離子，并進行快速熱退火處理；

在以每一注入角度進行離子注入和快速熱退火處理之后，均進行數據測量，獲得所述不同注入角度下的熱波值和晶片電阻值，分別建立熱波值—注入角度特征曲線以及電阻值—注入角度特征曲線；

根據所述熱波值—注入角度特征曲線以及電阻值—注入角度特征曲線確定監控參考角度，并將該監控參考角度、預定能量、劑量的離子設為離子注入條件；

定期在所述離子注入條件下進行離子注入，并測量相應的熱波值和/或晶片電阻值；以及

根據所測量的所述熱波值或所述晶片電阻值，以及所述熱波值—注入角度特征曲線或所述電阻值—注入角度特征曲線確定離子注入角度的準確性。

6.根據權利要求5所述的離子注入角度監控方法，其特征在于，根據所述熱波值—注入角度特征曲線以及電阻值—注入角度特征曲線的斜率確定所述監控參考角度。

7.根據權利要求5所述的離子注入角度監控方法，其特征在于，確定離子注入角度的準確性的步驟包括：

將所測量的熱波值或晶片電阻值減去所述監控參考角度對應的熱波值或晶片電阻值得到一差值；以及

將該差值與所述監控參考角度對應的熱波值或晶片電阻值相比得到離子注入角度的偏差，所述離子注入角度的偏差與所述離子注入角度的準確性成反比。

8.根據權利要求5所述的離子注入角度監控方法，其特征在于，所述離子注入機的注入能量范圍為0.5～1500千電子伏，注入的離子的劑量范圍為1E11～1E16。