[發明專利]干法工藝穩定性和匹配性的判斷方法

有效

• 申請號: 201310630263.6
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103646890A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 荊泉;任昱;呂煜坤;張旭升
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陶金龍

1.一種干法工藝穩定性的判斷方法，其特征在于，包括：

獲取干法工藝前后，硅光片表面自然氧化膜和初始熱氧化膜的厚度差；

對干法工藝后的硅光片進行清洗，獲取清洗前后熱氧化膜的損失率；

根據自然氧化膜和熱氧化膜的厚度差和清洗前后熱氧化膜的損失率，判斷干法工藝穩定性。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，獲取干法工藝前后，硅光片表面自然氧化膜和熱氧化膜的厚度差包括：

使用第一清洗液處理硅光片，并量取在所述硅光片表面形成的自然氧化膜厚度；

在選定的干法工藝條件下，對所述硅光片進行光刻膠去除處理，并量取在所述硅光片表面形成的初始熱氧化膜的厚度；

根據自然氧化膜的厚度和干法工藝處理后的所述初始熱氧化膜的厚度，獲取干法工藝前后硅光片表面自然氧化膜和熱氧化膜的厚度差。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對干法工藝后的硅光片進行清洗，獲取清洗前后熱氧化膜的損失率包括：

使用第二清洗液處理干法工藝后的所述硅光片，并量取在所述硅光片表面形成的最終熱氧化膜的厚度；

根據利用所述第二清洗液處理后最終的熱氧化膜的厚度，以及干法工藝處理后的所述硅光片表面形成初始熱氧化膜的厚度，獲取清洗前后熱氧化膜的損失率。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一清洗液包括：稀釋的氫氟酸、硫酸雙氧水混合物、及1號標準清洗液。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二清洗液包括：硫酸雙氧水混合物及65℃?1號標準清洗液處。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法工藝條件為：反應壓力為1～3T，反應溫度為200～300℃，反應功率為1000～2500W，O2氣體流量為5000～9000sccm，H2/N2氣體流量為1000～4000sccm，反應時間為60～100s。

7.一種干法工藝匹配性的判斷方法，其特征在于，包括：

獲取干法工藝前后，硅光片表面自然氧化膜和初始熱氧化膜的厚度差；

對干法工藝后的硅光片進行清洗，獲取清洗前后熱氧化膜的損失率；

根據自然氧化膜和熱氧化膜的厚度差和清洗前后熱氧化膜的損失率分別與預設的基準參數進行比對，判斷干法工藝的匹配性。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，獲取干法工藝前后，硅光片表面自然氧化膜和熱氧化膜的厚度差包括：

使用第一清洗液處理硅光片，并量取在所述硅光片表面形成的自然氧化膜厚度；

在選定的干法工藝條件下，對所述硅光片進行光刻膠去除處理，并量取在所述硅光片表面形成的初始熱氧化膜的厚度；

根據自然氧化膜的厚度和干法工藝處理后的所述初始熱氧化膜的厚度，獲取干法工藝前后硅光片表面自然氧化膜和熱氧化膜的厚度差。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，對干法工藝后的硅光片進行清洗，獲取清洗前后熱氧化膜的損失率包括：

使用第二清洗液處理干法工藝后的所述硅光片，并量取在所述硅光片表面形成的最終熱氧化膜的厚度；

利用所述第二清洗液處理后最終的熱氧化膜的厚度，以及干法工藝處理后的所述硅光片表面形成初始熱氧化膜的厚度，獲取清洗前后熱氧化膜的損失率。