[發(fā)明專利]晶圓缺陷檢測方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310630250.9
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103646889A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發(fā)明（設計）人: 倪棋梁;陳宏璘;龍吟;王愷
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陶金龍

1.一種晶圓缺陷檢測方法，包括如下步驟：

a)、提供兩束檢測光束，分別為第一光束和第二光束；

b)、以所述第一光束投射于晶圓第一位置，同時以所述第二光束投射于晶圓第二位置；

c)、依據(jù)所述第一位置和第二位置的圖像灰度特征，對所述第一位置和/或第二位置分別進行缺陷檢測；

d)、移動所述晶圓，以使所述第一光束和第二光束分別投射至晶圓第三位置和第四位置，以所述第三、第四位置分別替換所述第一、第二位置；

e)、重復執(zhí)行所述步驟c)和步驟d)，直至全部所述晶圓區(qū)域被檢測完成；

其中，所述第一、第二、第三和第四位置分別為所述晶圓表面互不相同的待檢測位置。

2.如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，在所述步驟a)之后、步驟b)之前還包括步驟：

設定所述第一、第二光束的檢測起始位置以及檢測終止位置；以及，

設定所述晶圓的移動路徑；

所述步驟b)中，所述第一、第二位置分別為所述第一、第二光束的檢測起始位置。

3.如權利要求2所述的檢測方法，其特征在于，所述第一、第二光束的檢測起始位置以及檢測終止位置分別位于所述晶圓邊緣部不同的芯片上。

4.如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，在所述步驟d)中，若所述晶圓移動后，所述第一和第二光束分別投射于所述晶圓邊緣部芯片之外，則該暫停重復執(zhí)行所述步驟c)，直至所述晶圓再次移動至使該第一或第二光束重新投射于所述晶圓上待檢測位置。

5.如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述晶圓置于一載物臺上，所述載物臺包括一水平軌道和一垂直軌道，所述步驟d)中，所述載物臺沿所述水平軌道或垂直軌道運動以移動所述晶圓。

6.如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述第一、第二光束之間距離為恒定值，所述第一、第二位置之間距離以及所述第三、第四位置之間距離等于或略大于所述晶圓半徑。

7.如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述第一、第三位置之間距離由所述第一光束的檢測分辨率確定，所述第二、第四位置之間距離由所述第二光束的檢測分辨率確定。

8.如權利要求7所述的檢測方法，其特征在于，所述第一光束的檢測分辨率與所述第二光束的檢測分辨率相同。