[發明專利]有源矩陣有機發光二極管像素驅動電路及其驅動方法有效
| 申請號: | 201310630148.9 | 申請日: | 2013-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN103594059B | 公開(公告)日: | 2017-01-11 |
| 發明(設計)人: | 劉超;丁毅嶺;方娜;田犁;汪寧;章琦;汪輝;封松林 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海高等研究院 |
| 主分類號: | G09G3/3233 | 分類號: | G09G3/3233;G09G3/3258 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 201210 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有源 矩陣 有機 發光二極管 像素 驅動 電路 及其 方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示驅動技術,特別是涉及有源矩陣有機發光二極管像素驅動電路及其驅動方法。
背景技術
有源矩陣有機發光二極管(Active?Matrix/Organic?Light?Emitting?Diode,AMOLED)顯示器是當今平板顯示器研究領域的熱點之一,與傳統OLED相比,有源矩陣有機發光二極管具有低能耗、寬視角、響應快、對比度高等優點。
有源矩陣有機發光二極管的像素中采用的薄膜晶體管主要分為氫化非晶硅薄膜晶體管(a-Si:H?TFT)和低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS?TFT)兩種,由于材料本身性質的差異,a-Si:H?TFT的載流子遷移率要比LTPS?TFT的要低。與采用LTPS?TFT的像素相比,采用a-Si:H?TFT的像素需要加大器件尺寸,并提高驅動電壓,才能實現與LTPS?TFT相同的驅動效果,但是,由此也會導致像素的開口率和器件壽命降低。因此,采用LTPS?TFT的有源矩陣有機發光二極管器件具有明顯的優勢。
由于實際制造工藝的偏差,像素內的驅動管TFT的閾值電壓和載流子遷移率并不完全相同。若不采用補償技術,像素驅動器件參數的差異將導致顯示圖像亮度不均勻,從而造成圖像顯示質量的下降。此外,隨著工作時間的累積,器件將會老化,驅動TFT的閾值電壓會增大,在相同的電壓信號下,驅動TFT的驅動電流變小,從而影響圖像的整體亮度。
為了解決上述問題,人們提出了很多種補償方案,作為現有技術中較為典型的補償方案之一,申請號為201010522409.1、名稱為“有源有機電致發光顯示器的像素驅動電路及其驅動方法”的中國專利提出了一種補償作用的像素驅動電路,圖1和圖2分別為現有技術中有源矩陣有機發光二極管像素驅動電路結構示意圖和相應的驅動時序示意圖。如圖1、圖2所示,該方案中,有源矩陣有機發光二極管像素驅動電路包括一個驅動晶體管T2,四個開關晶體管T1、T3、T4、T5,一個耦合電容C1,一個補償電容C2和一個有機發光二極管OLED,第一晶體管T1控制耦合電容C1為驅動晶體管T2的柵極寫入灰度數據電壓Vdata,驅動晶體管T2用于驅動有機發光二極管OLED發光,第三晶體管T3通過第四晶體管T4提供充電通路,通過驅動晶體管T2提供放電通路,第四晶體管T4通過驅動晶體管T2控制有機發光二極管OLED發光,第五晶體管T5提供放電通路,避免有機發光二極管OLED在閾值電壓存儲階段發光。
該方案提供的像素驅動電路能夠有效地解決有源矩陣有機發光二極管各個像素點驅動晶體管T2閾值電壓的不均勻性,以及有機發光二極管OLED隨著工作時間增加導致開啟電壓的退化。但是該像素結構較為復雜,不利于其開口率的提高,尤其是像素中的兩個電容占據的面積較大,很大程度上限制了像素的小型化,不利于有源矩陣有機發光二極管顯示器集成度的進一步提高。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一有源矩陣有機發光二極管像素驅動電路及其驅動方法,用于解決現有技術中有源矩陣有機發光二極管像素驅動器件閾值電壓不均勻,以及像素結構復雜,不利于其開口率提高的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一有源矩陣有機發光二極管像素驅動電路,該驅動電路包括:第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、驅動晶體管、補償電容和有機發光二極管,其中,
所述第一晶體管的柵極接第一掃描控制信號,第一電極與第三晶體管的第二電極、驅動晶體管的漏極和第四晶體管的第二電極相連,第二電極連接補償電容的第一端和驅動晶體管的控制柵極;
所述第二晶體管的柵極接第二掃描控制信號,第一電極與有機發光二極管的第一極、補償電容的第二端和驅動晶體管的源極相連,第二電極與有機發光二極管的第二極相連,并接第二電源電壓信號;
所述第三晶體管的柵極接發光控制信號,第一電極接第一電源電壓信號;
所述第四晶體管的柵極接第三掃描控制信號,第一電極接數據電壓信號。
優選地,所述第一晶體管為對稱結構,其第一電極、第二電極可互換;所述第二、第三、第四晶體管為對稱結構或非對稱結構。
進一步地,所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管選自多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、氧化鋅基薄膜晶體管和有機薄膜晶體管中的任意一者。
優選地,所述第一電極為漏極,第二電極為源極,所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管為N型,所述有機發光二極管的第一極為陽極。
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