[發明專利]有機發光二極管顯示器

有效

• 申請號: 201310629805.8
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103855190B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 樸景薰;樸鐘賢;許成權
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司11018
• 代理人: 于未茗,康泉

技術領域

描述的技術總地涉及有機發光二極管（OELD）顯示器。

背景技術

有機發光二極管顯示器包括兩個電極和介于兩個電極之間的有機發射層，從作為一個電極的陰極注入的電子和從作為另一個電極的陽極注入的空穴在有機發射層中彼此結合，以形成激子，并且在激子釋放能量時發出光。

有機發光二極管顯示器的每個像素包括開關薄膜晶體管、驅動薄膜晶體管、電容器和有機發光二極管。驅動電壓ELVDD從驅動電壓線被供給至驅動薄膜晶體管和電容器，并且驅動薄膜晶體管用于控制通過驅動電壓線流到有機發光二極管的電流。公共電壓線將公共電壓ELVSS供給至陰極，并且在作為陽極的像素電極與公共電極之間形成電勢差，從而引起像素電極與公共電極之間的電流。

通過形成在周邊區域中的包括柵極線的柵極公共電壓接觸單元、包括數據線的數據公共電壓接觸單元以及公共電極之間的連續接觸，公共電壓ELVSS被傳送到形成在障肋上的公共電極。

不過，由于障肋的厚度，顯影劑沒有被有效地蒸發，因而在障肋中形成的接觸孔的邊界處可能產生提升現象。

關于提升現象，提供在障肋上的公共電極穿過接觸孔，而使與底金屬膜的粘著力惡化并且產生熱。

本背景部分中公開的上述信息僅用于增強對所描述技術的背景的理解，因此它可能包含不形成對本國內本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

發明內容

所描述的技術致力于提供一種具有降低的熱產生的有機發光二極管（OLED）顯示器。

一示例性實施例提供一種有機發光二極管（OLED）顯示器，其包括：像素單元，形成在基板上并包括用于顯示圖像的有機發光二極管；以及圍繞所述像素單元的周邊，其中所述周邊包括：柵極公共電壓線，形成在所述基板上，并且從外部電路接收公共電壓；層間絕緣層，覆蓋所述柵極公共電壓線，并且包括用于暴露所述柵極公共電壓線的一部分的公共電壓接觸孔；數據公共電壓線，形成在所述層間絕緣層上，并且通過所述公共電壓接觸孔接觸所述柵極公共電壓線；障肋，用于覆蓋所述數據公共電壓線，并且包括用于暴露所述數據公共數據線的一部分的公共電壓開口；公共電極，形成在所述障肋上，并且通過所述公共電壓開口接觸所述數據公共電壓線；以及多個突起，被提供在所述公共電壓接觸孔種，并且形成在所述基板上。

所述有機發光二極管包括第一電極、被提供在所述第一電極上的有機發射層以及被提供在所述有機發射層上的第二電極，并且所述公共電極與所述第二電極一體形成。

所述第二電極形成在所述像素單元上。

所述像素單元包括薄膜晶體管，該薄膜晶體管用于將所述第一電極連接至該薄膜晶體管的漏電極。

所述突起由包括所述薄膜晶體管的半導體的材料在內的材料形成。

所述有機發光二極管顯示器進一步包括形成在所述基板上的緩沖層，其中所述突起包括由與所述緩沖層相同的材料制成的第一突起，以及被提供在所述第一突起上且由與所述半導體相同的材料制成的第二突起。

所述有機發光二極管顯示器進一步包括：形成在所述基板上的緩沖層，其中所述突起由與所述緩沖層相同的材料制成。

所述緩沖層包括氮化硅和氧化硅中至少之一。

所述基板包括被提供在相鄰突起之間的凹部分。

所述像素單元包括：柵極線，形成在所述基板上并且傳送掃描信號；數據線和驅動電壓線，以絕緣方式與所述柵極線交叉，并且分別傳送數據信號和驅動電壓；開關薄膜晶體管，連接至所述柵極線和所述數據線；驅動薄膜晶體管，連接至所述開關薄膜晶體管和所述驅動電壓線；第一電極，連接至所述驅動薄膜晶體管；有機發射層，形成在所述第一電極上；以及第二電極，形成在所述有機發光二極管上，其中所述柵極公共電壓線與所述柵極線形成在相同的層上，并且所述數據公共電壓線與所述數據線形成在相同的層上。

公共電極和公共電壓線的接觸面積通過根據示例性實施例的有機發光設備的突起得到增加，因而接觸電阻被降低。因此，由電阻根據障肋的提升現象而增大引起的熱產生能夠得到降低。

附圖說明

圖1示出根據示例實施例的有機發光二極管（OLED）顯示器的俯視圖。

圖2示出根據示例實施例的有機發光二極管（OLED）顯示器的像素的等效電路。

圖3示出根據示例實施例的有機發光二極管（OLED）顯示器的像素的剖面圖。

圖4示出圖1的周邊中的邊部分（A）的放大俯視圖。

圖5示出關于圖4的線V-V的剖面圖。

圖6示出圖1的周邊中的邊部分（B）的放大俯視圖。