[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法和用于半導(dǎo)體器件的裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310629482.2
• 申請(qǐng)日: 2013-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN103855032A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: V·S.·巴斯克;A·克哈基弗爾魯茨;P·克爾比爾;A·雷茨尼采克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機(jī)器公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/02;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 郭思宇

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在塊體襯底上的埋入氧化物層上形成拉伸SSOI層；

在SSOI層中形成多個(gè)翅片；

去除翅片的一部分；

將翅片的剩余部分退火以松弛翅片的拉伸應(yīng)變；和

合并翅片的剩余部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，在塊體襯底上的埋入氧化物層上形成SSOI層包含從施主襯底切割SSOI層并使SSOI層與埋入的氧化物層接合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，將翅片的剩余部分退火包含使SSOI層經(jīng)受升高的溫度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中，使SSOI層經(jīng)受升高的溫度包含在約700℃至約900℃的溫度將SSOI層預(yù)烘焙約2分鐘至約30分鐘。

5.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中，使SSOI層經(jīng)受升高的溫度包含在約800℃的溫度將SSOI層預(yù)烘焙約2分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，合并翅片的剩余部分包含在翅片上外延生長Si和SiGe中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中，在翅片上外延生長Si和SiGe中的至少一種包含在翅片上沉積Si和SiGe中的至少一種和將翅片加熱到約500℃至約850℃的溫度約20分鐘至約40分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，在SSOI層中形成多個(gè)翅片包含蝕刻SSOI層。

9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

將拉伸SSOI層附到襯底的第一表面上；

在SSOI層中形成多個(gè)翅片；

形成橫穿多個(gè)翅片的柵極；

通過使用蝕刻技術(shù)去除翅片的至少一部分；

使翅片的剩余部分經(jīng)受升高的溫度以松弛翅片的拉伸應(yīng)變；

通過利用翅片上的Si和SiGe中的至少一種的外延生長來合并柵極的源極側(cè)的翅片的剩余部分，以形成合并的源極區(qū)域；和

通過利用翅片上的Si和SiGe中的至少一種的外延生長來合并柵極的漏極側(cè)的翅片的剩余部分，以形成合并的漏極區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中，將SSOI層附到襯底的第一表面上包含從施主襯底去除SSOI層并使SSOI層與襯底的第一表面接合。

11.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中，在SSOI層中形成多個(gè)翅片包含蝕刻SSOI層。

12.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中，使翅片經(jīng)受升高的溫度包含使翅片經(jīng)受約700℃至約900℃的溫度約2分鐘至約30分鐘。

13.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中，使翅片經(jīng)受升高的溫度包含使翅片經(jīng)受約800℃約2分鐘。

14.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，還包括在柵極下面形成源極擴(kuò)展區(qū)域和漏極擴(kuò)展區(qū)域。

15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，通過離子注入在柵極下面形成源極擴(kuò)展區(qū)域和漏極擴(kuò)展區(qū)域。

16.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，還包括用磷和硼中的一種或更多種摻雜合并的源極區(qū)域和合并的漏極區(qū)域。

17.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，還包括在合并的源極區(qū)域和合并的漏極區(qū)域的上表面上形成硅化物蓋子。

18.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中，通過利用翅片上的Si和SiGe中的至少一種的外延生長來合并柵極的源極側(cè)的翅片的剩余部分以形成合并的源極區(qū)域和通過利用翅片上的Si和SiGe中的至少一種的外延生長來合并柵極的漏極側(cè)的翅片的剩余部分以形成合并的漏極區(qū)域，包含在翅片上沉積Si和SiGe中的至少一種并將翅片加熱到約500℃至約850℃約20分鐘至約40分鐘。

19.一種用于半導(dǎo)體器件的裝置，該裝置包括：

具有拉伸SSOI層的襯底；

在SSOI層上形成并且從襯底垂直延伸并相互平行的多個(gè)翅片，翅片具有松弛的拉伸應(yīng)變；

位置橫穿翅片延伸的柵極，柵極的第一側(cè)的翅片與源極連通并且柵極的第二側(cè)的翅片與漏極連通；

合并柵極的第一側(cè)的翅片的源極區(qū)域；和

合并柵極的第二側(cè)的翅片的漏極區(qū)域，

其中，源極區(qū)域和漏極區(qū)域包含通過Si和SiGe中的至少一種的外延生長形成的層。