[發明專利]一種大尺寸圖形化襯底的制作方法

在審

• 申請號: 201310629170.1
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103746055A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 袁根如;郝茂盛;陶淳;邢志剛;陳耀;李振毅
• 申請（專利權）人: 上海藍光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種大尺寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)提供一襯底，將其制備成表面具有若干個微小圖形包的圖形化襯底；

2)在所述圖形化襯底表面生長一層氧化硅薄膜；

3)光刻步驟2）得到的襯底，將其表面分割成若干個方格子，并暴露出所述微小圖形包；

4)在所述方格子四周形成溝道；

5)將暴露出的微小圖形包腐蝕掉，使方格子四周表面保持平滑；

6)去除所述方格子表面的氧化硅薄膜。

2.根據權利要求1所述的大尺寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于：步驟1）中將所述襯底制備成表面具有若干個微小圖形包的圖像化襯底的過程，至少包括以下步驟：

a）在所述襯底表面上形成一層光刻膠掩膜；

b）采用光刻技術將所述光刻膠掩膜圖形化，以形成所期望的圖形；

c）采用回流技術融化所述光刻膠掩膜，使其形成微小圖形包；

d）采用刻蝕工藝將光刻膠掩膜上的圖形輪廓傳遞到襯底上，在所述襯底上形成微小圖形包結構。

3.根據權利要求1所述的大尺寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于：步驟2）中生長的所述氧化硅薄膜的厚度為800～8000埃。

4.根據權利要求1所述的大尺寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于：步驟4）中形成所述溝道的工藝為光刻和刻蝕或激光劃片工藝。

5.根據權利要求1所述的大尺寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于：步驟4）中所述溝道將圖形化襯底表面分割成若干個和最終芯片尺寸完全一樣的小區間。

6.根據權利要求1所述的大尺寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于：步驟4）中所述溝道與對應方格子各邊之間的距離d為5～50μm。

7.根據權利要求1所述的大尺寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于：步驟4）中所述溝道深入所述襯底的深度h為10～25μm。

8.根據權利要求7所述的大尺寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于：步驟4）中所述溝道深入所述襯底的深度h為20μm。

9.根據權利要求1所述的大尺寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于：步驟1）中所述襯底為Si襯底、SiC襯底或藍寶石襯底。

10.根據權利要求1所述的大尺寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于：步驟5）中使用強酸或強堿溶液將暴露出的微小圖形包腐蝕掉。

11.根據權利要求10所述的大尺寸圖形化襯底的制作方法，其特征在于：步驟5）中使用加熱至200～350℃的強酸或強堿溶液將暴露出的微小圖形包腐蝕掉。