[發明專利]半導體器件有效
| 申請號： | 201310628941.5 | 申請日： | 2009-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN103730509B | 公開（公告）日： | 2018-03-30 |
| 發明（設計）人： | 秋元健吾;山崎舜平 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 張金金,湯春龍 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，其包括：
在襯底上形成柵電極層；
在所述柵電極層上形成柵絕緣層；
隔著所述柵絕緣層在所述柵電極層上形成氧化物半導體層，所述氧化物半導體層包含溝道形成區；
在所述氧化物半導體層上形成導電膜，所述導電膜包含含有銅和錳的合金；
在形成所述導電膜之后加熱所述導電膜；
蝕刻所述導電膜以形成第一導電層和第二導電層；
使用氧自由基對所述氧化物半導體層的表面進行處理；以及
在所述第一導電層和所述第二導電層上形成阻擋膜，其中所述阻擋膜與所述氧化物半導體層在所述第一導電層和所述第二導電層之間的部分接觸，
其中使用氧自由基對所述氧化物半導體層的所述表面進行處理在沒有施加偏壓到所述襯底側的情況下執行。
2.一種半導體器件的制造方法，其包括：
在襯底上形成柵電極層；
在所述柵電極層上形成柵絕緣層；
隔著所述柵絕緣層在所述柵電極層上形成氧化物半導體層，所述氧化物半導體層包含溝道形成區；
在所述氧化物半導體層上形成導電膜，所述導電層包含含有銅和錳的合金；
在形成所述導電膜之后通過光亮退火加熱所述導電膜；
蝕刻所述導電膜以形成第一導電層和第二導電層；
蝕刻所述氧化物半導體層在所述第一導電層和所述第二導電層之間的部分，使得所述氧化物半導體層在所述第一導電層和所述第二導電層之間的區域中比在所述第一導電層和所述第二導電層下面的區域中要薄，
使用氧自由基對所述氧化物半導體層的表面進行處理；以及
在所述第一導電層和所述第二導電層上形成阻擋膜，其中所述阻擋膜與所述氧化物半導體層在所述第一導電層和所述第二導電層之間的部分接觸，
其中使用氧自由基對所述氧化物半導體層的所述表面進行處理在沒有施加偏壓到所述襯底側的情況下執行。
3.一種半導體器件的制造方法，包括：
在襯底上形成柵電極層；
在所述柵電極層上形成柵絕緣層；
隔著所述柵絕緣層在所述柵電極層上形成第一氧化物半導體層，所述第一氧化物半導體層包含溝道形成區；
在所述第一氧化物半導體層上形成第二氧化物半導體層；
在所述第二氧化物半導體層上形成導電膜，所述導電膜包含含有銅和錳的合金；
在形成所述導電膜之后加熱所述導電膜；
蝕刻所述導電膜以形成第一導電層和第二導電層；
蝕刻所述第二氧化物半導體層在所述第一導電層和所述第二導電層之間的部分以形成源區和漏區；
使用氧自由基對所述氧化物半導體層的表面進行處理；以及
在所述第一導電層和所述第二導電層上形成阻擋膜，其中所述阻擋膜與所述第一氧化物半導體層在所述第一導電層和所述第二導電層之間的部分接觸，
其中所述阻擋膜包含氧化硅或氮氧化硅，
其中使用氧自由基對所述氧化物半導體層的所述表面進行處理在沒有施加偏壓到所述襯底側的情況下執行。
4.如權利要求1、2或3中任一項所述的方法，其中所述阻擋膜是使用氧化鋁膜、氮化鋁膜、氧氮化鋁膜或氮氧化鋁膜的單層或堆疊層。
5.如權利要求1或2所述的方法，其中所述阻擋膜包含氧化硅或氧氮化硅。
6.如權利要求1或2所述的方法，其中所述氧化物半導體層包含濃度小于或等于5×1019/cm3的鈉。
7.如權利要求1或2所述的方法，其中所述氧化物半導體層包含In、Ga和Zn。
8.如權利要求1、2或3中任一項所述的方法，進一步包括形成電連接到所述第一導電層和所述第二導電層其中之一的像素電極的步驟。
9.如權利要求1、2或3中任一項所述的方法，其中加熱所述導電膜的步驟在200℃至600℃進行。
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