[發(fā)明專利]一種硅基表面增強拉曼散射（SERS）基底的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310628919.0 | 申請日： | 2013-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN103604796A | 公開（公告）日： | 2014-02-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 何耀;姜享旭 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | G01N21/65 | 分類號： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐靈;常亮 |
| 地址： | 215123 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表面 增強 散射 sers 基底 制備 方法 | ||
1.一種硅基表面增強拉曼散射基底的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一經(jīng)預處理的硅片；
將硅片浸入氫氟酸中，以去除硅片表面的二氧化硅氧化層，使硅片表面形成Si-H鍵；
將硅片平鋪于器皿中，光面朝上，向其中迅速傾注硝酸銀和氫氟酸溶液進行反應，從而在硅片表面生長一層銀納米粒子；
將上述步驟之后的硅片進行干燥處理，得到所述硅基表面增強拉曼散射基底。
2.如權利要求1所述的硅基表面增強拉曼散射基底的制作方法，其特征在于：所述硅片的預處理包括兩步清洗：
首先依次用去離子水、丙酮、去離子水進行超聲清洗；
然后用濃硫酸和過氧化氫混合溶液進一步清洗。
3.如權利要求2所述的硅基表面增強拉曼散射基底的制作方法，其特征在于：所述去離子水、丙酮、去離子水超聲清洗的超聲震蕩儀的功率為40Hz～90Hz，超聲時間5～60分鐘。
4.如權利要求2所述的硅基表面增強拉曼散射基底的制作方法，其特征在于：所述濃硫酸和過氧化氫的體積比=1:(0.01～0.7)，清洗所用的反應時間為20～60分鐘。
5.如權利要求1所述的硅基表面增強拉曼散射基底的制作方法，其特征在于：所述硅片的干燥處理為氮氣吹干法、高溫烘干法或甩干法中的一種。
6.如權利要求1所述的硅基表面增強拉曼散射基底的制作方法，其特征在于：所述硅片包括電導率為0.01-20Ω*cm2的p型或n型硅晶片。
7.如權利要求1所述的硅基表面增強拉曼散射基底的制作方法，其特征在于：所述氫氟酸浸泡反應形成Si-H鍵中需要氫氟酸的濃度為5%～40%，浸泡時間為2.5～25分鐘。
8.如權利要求1所述的硅基表面增強拉曼散射基底的制作方法，其特征在于：所述硝酸銀和氫氟酸混合溶液中硝酸銀與氫氟酸的體積比=1:(0.01～1.2)，反應時間為1～8分鐘。
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