[發明專利]集成電路及其制造方法

有效

• 申請號: 201310628390.2
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103855081A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: C·小凱波勒;S·U·恩格爾曼;B·L·弗萊徹;M·S·戈登;E·A·約瑟夫
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/52
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 賀月嬌;于靜

1.一種用于在集成電路中制造一條或多條導電線路的方法，該方法包括：

對過渡金屬層進行構圖以形成所述一條或多條導電線路；以及

在所述一條或多條導電線路當中的至少一部分上沉積保護帽蓋。

2.權利要求1所述的方法，其中，所述保護帽蓋形成在所述一條或多條導電線路當中的所述至少一部分中的每一條的一側上。

3.權利要求1所述的方法，其中，所述保護帽蓋密封所述一條或多條導電線路當中的所述至少一部分中的每一條的三側。

4.權利要求1所述的方法，其中，所述一條或多條導電線路具有亞80納米的線路寬度。

5.權利要求1所述的方法，其中，所述一條或多條導電線路具有亞80納米的間距。

6.權利要求1所述的方法，其中，所述保護帽蓋具有在約5到15納米之間的厚度。

7.權利要求1所述的方法，其中，使用原子層沉積進行所述沉積。

8.權利要求1所述的方法，其中，所述保護帽蓋包括難熔金屬氮化物。

9.權利要求8所述的方法，其中，所述難熔金屬氮化物包括氮化鉭。

10.權利要求8所述的方法，其中，所述難熔金屬氮化物包括氮化鈦。

11.權利要求1所述的方法，其中，所述過渡金屬包括鉭。

12.權利要求1所述的方法，其中，所述過渡金屬包括鈦。

13.權利要求1所述的方法，其中，所述過渡金屬包括釩。

14.權利要求1所述的方法，其中，所述過渡金屬包括鉿。

15.權利要求1所述的方法，其中，所述過渡金屬包括鈷。

16.權利要求1所述的方法，其中，所述過渡金屬包括鎳。

17.權利要求1所述的方法，其中，所述過渡金屬包括鈮。

18.權利要求1所述的方法，其中，所述過渡金屬包括非銅過渡金屬。

19.權利要求1所述的方法，其中，所述過渡金屬包括鎢。

20.一種集成電路，包括：

多個半導體器件；以及

連接所述多個半導體器件的多條導電線路，其中所述多條導電線路當中的至少一部分包括：

過渡金屬層；以及

沉積在所述過渡金屬層上的保護帽蓋。

21.權利要求20所述的集成電路，其中，所述保護帽蓋形成在所述過渡金屬層的一側上。

22.權利要求20所述的集成電路，其中，所述保護帽蓋密封所述過渡金屬層的三側。

23.權利要求20所述的集成電路，其中，所述一條或多條導電線路具有亞80納米的線路寬度。

24.權利要求20所述的集成電路，其中，所述一條或多條導電線路具有亞80納米的間距。

25.權利要求20所述的集成電路，其中，所述保護帽蓋具有在約5到15納米之間的厚度。

26.權利要求20所述的集成電路，其中，所述保護帽蓋包括難熔金屬氮化物。

27.權利要求26所述的集成電路，其中，所述難熔金屬氮化物包括氮化鉭。

28.權利要求26所述的集成電路，其中，所述難熔金屬氮化物包括氮化鈦。

29.權利要求20所述的集成電路，其中，所述過渡金屬包括鉭。

30.權利要求20所述的集成電路，其中，所述過渡金屬包括鈦。

31.權利要求20所述的集成電路，其中，所述過渡金屬包括釩。

32.權利要求20所述的集成電路，其中，所述過渡金屬包括鉿。

33.權利要求20所述的集成電路，其中，所述過渡金屬包括鈷。

34.權利要求20所述的集成電路，其中，所述過渡金屬包括鎳。

35.權利要求20所述的集成電路，其中，所述過渡金屬包括鋯。