[發明專利]包括在有源鰭之間的突出絕緣部分的半導體器件

有效

• 申請號: 201310628274.0
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103855219B
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: 前田茂伸;姜熙秀;沈相必;洪秀憲
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種半導體器件，包括：

場絕緣層，包括在第一和第二正交方向延伸的平面主表面和在垂直于所述第一和第二正交方向的第三方向上從所述平面主表面突出的突出部分；

第一和第二多溝道有源鰭，在所述場絕緣層上沿所述第二正交方向延伸并通過所述突出部分彼此分離，以使得所述突出部分形成在所述第一和第二多溝道有源鰭之間的在所述第二正交方向上的間隙中；和

導電層，從所述突出部分的最上表面延伸以橫跨位于所述第一和第二多溝道有源鰭之間的所述突出部分。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述突出部分從所述平面主表面突出的距離大于在第一和第二多溝道有源鰭上的相應的柵極之下的所述第一和第二多溝道有源鰭的最上表面的高度。

3.如權利要求2所述的半導體器件，還包括：

第一源極/漏極，在直接鄰近于所述突出部分的所述第一多溝道有源鰭中，所述第一源極/漏極包括在所述突出部分的所述最上表面之下的最上表面。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述突出部分從所述平面主表面突出的距離等于在所述第一和第二多溝道有源鰭上的相應的柵極之下的所述第一和第二多溝道有源鰭的最上表面的高度。

5.如權利要求4所述的半導體器件，還包括：

第一源極/漏極，在直接鄰近于所述突出部分的所述第一多溝道有源鰭中，所述第一源極/漏極包括在所述突出部分的所述最上表面之上的最上表面。

6.如權利要求1所述的半導體器件，還包括：

在所述導電層上的側壁間隔物；和

在所述突出部分的所述最上表面與所述導電層之間的非平面的柵絕緣層。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述導電層被包括在虛設柵極中。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述導電層被包括在有源柵極中。

9.一種半導體器件，包括：

場絕緣層，包括在第一和第二正交方向延伸的平面主表面和在垂直于所述第一和第二正交方向的第三方向上從所述平面主表面突出的突出部分；

第一和第二多溝道有源鰭，在所述場絕緣層上延伸并通過所述突出部分彼此分離；

導電層，從所述突出部分的最上表面延伸以橫跨位于所述第一和第二多溝道有源鰭之間的所述突出部分；

在所述導電層與所述突出部分之間的非平面的絕緣層；和

有源柵極，交叉所述第一多溝道有源鰭。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其中所述導電層被包括在虛設柵極中，所述虛設柵極位于所述導電層交叉所述突出部分的位置。

11.如權利要求9所述的半導體器件，其中所述突出部分從所述平面主表面突出的距離大于在所述有源柵極和所述導電層之下的所述第一和第二多溝道有源鰭的最上表面的高度。

12.如權利要求11所述的半導體器件，還包括：

第一源極/漏極，在直接鄰近于所述突出部分的所述第一多溝道有源鰭中，所述第一源極/漏極包括在所述突出部分的所述最上表面之下的最上表面。

13.如權利要求9所述的半導體器件，其中所述突出部分從所述平面主表面突出的距離等于在所述有源柵極和所述導電層之下的所述第一和第二多溝道有源鰭的最上表面的高度。

14.如權利要求13所述的半導體器件，還包括：

第一源極/漏極，在直接鄰近于所述突出部分的所述第一多溝道有源鰭中，所述第一源極/漏極包括在所述突出部分的所述最上表面之上的最上表面。

15.一種半導體器件，包括：

絕緣層，包括主表面和從所述主表面突出的突出部分；

第一和第二多溝道有源鰭，彼此直接相鄰并通過所述突出部分彼此分離；

有源柵極結構，在所述第一多溝道有源鰭上；

導電層，從所述突出部分的最上表面延伸以橫跨位于所述第一和第二多溝道有源鰭之間的所述突出部分；

有源柵極結構側壁間隔物，包括在所述有源柵極結構中，所述有源柵極結構側壁間隔物具有第一高度；和

導電層側壁間隔物，在所述導電層上，所述導電層側壁間隔物具有小于所述第一高度的第二高度。