[發(fā)明專利]防水?dāng)?shù)字X射線平板探測(cè)器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310628258.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104678422A | 公開(公告)日: | 2015-06-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 范波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇龍信電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01T1/202 | 分類號(hào): | G01T1/202 |
| 代理公司: | 北京瑞思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11341 | 代理人: | 李濤 |
| 地址: | 215332 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 防水 數(shù)字 射線 平板 探測(cè)器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及數(shù)字成像領(lǐng)域,尤其涉及一種防水?dāng)?shù)字X射線平板探測(cè)器。
背景技術(shù)
目前在國內(nèi)外市場上流通的X?射線平板探測(cè)器都是基于非晶硅薄膜晶體管?(Thin?Film?Transistor,TFT)?陣列檢測(cè)技術(shù)發(fā)展起來的。從原理上分不外乎為兩種類型:一種是間接能量轉(zhuǎn)換型,如西門子、菲利浦、GE,PerkinElmer?公司的產(chǎn)品,一種是直接能量轉(zhuǎn)換型,如HOLOGIC?公司產(chǎn)品。由于間接能量轉(zhuǎn)換型具有轉(zhuǎn)換效率高、動(dòng)態(tài)范圍廣、空間分辨率高、環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),所以是目前X?射線平板探測(cè)器市場的主流。?
但是由于X?射線需經(jīng)閃爍體進(jìn)行可見光轉(zhuǎn)換并要有效傳輸,閃爍體是透明的,產(chǎn)生的可見光必然會(huì)有光的散射,X?射線在一個(gè)像素點(diǎn)產(chǎn)生的可見光會(huì)在相鄰的非晶硅薄膜晶體管?(a-Si+TFT)?單元產(chǎn)生影響,這樣必然會(huì)造成X?射線平板探測(cè)器圖像質(zhì)量的下降,又由于碘化銫材料為吸濕性材料,當(dāng)其吸收空氣中的水分而潮解時(shí),會(huì)使得閃爍體的特性,特別是圖像分辨率大大降低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種防水?dāng)?shù)字X射線平板探測(cè)器,該防水?dāng)?shù)字X射線平板探測(cè)器不僅可以有效的增加圖像質(zhì)量,而且在高濕度及完全暴露的環(huán)境下也能非??煽俊?/p>
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:防水?dāng)?shù)字X射線平板探測(cè)器,包括:保護(hù)層、閃爍層、光電層、電荷讀出層,所述保護(hù)層與所述閃爍層相連接;?
所述閃爍層與所述光電層相連接;
所述光電層與所述電荷讀出層相連接。
在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中,所述保護(hù)層材料為PET。
在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中,所述閃爍層材料為碘化銫晶體。
在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中,所述碘化銫晶體呈針狀,直徑為5-10um,長為600um。
在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中,所述光電層為光電二極管電路。
在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中,所述光電二極管電路材料為非晶體硅。
在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中,所述電荷讀出層為電荷讀出電路。
本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明防水?dāng)?shù)字X射線平板探測(cè)器不僅可以有效的增加圖像質(zhì)量,而且在高濕度及完全暴露的環(huán)境下也能非??煽?。
附圖說明
圖1是本發(fā)明防水?dāng)?shù)字X射線平板探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖中各部件的標(biāo)記如下:1、保護(hù)層;2、閃爍層;3、光電層;4、電荷讀出層。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述,以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解,從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
請(qǐng)參閱圖1,本發(fā)明實(shí)施例包括:防水?dāng)?shù)字X射線平板探測(cè)器,包括:保護(hù)層1、閃爍層2、光電層3、電荷讀出層4,所述保護(hù)層1與所述閃爍層2相連接,所述保護(hù)層1材料為PET,PET的熱變形溫度和長期使用溫度是熱塑性通用工程塑料中最高的,?因?yàn)槟蜔岣撸鰪?qiáng)PET在250℃的焊錫浴中浸漬10s,幾乎不變形也不變色,彎曲強(qiáng)度200MPa,彈性模量達(dá)4000MPa,耐蠕變及疲勞性也很好,表面硬度高,機(jī)械性能與熱固性塑料相近,并且生產(chǎn)PET所用乙二醇比生產(chǎn)所用丁二醇的價(jià)格幾乎便宜一半,所以PET具有很高的性價(jià)比。
所述閃爍層2與所述光電層3相連接,所述閃爍層2材料為碘化銫晶體,碘化銫是一種無機(jī)離子化合物,通常作為X射線影像倍增管等螢光顯示設(shè)備之輸入熒光劑,碘化銫陰極管對(duì)于強(qiáng)紫外線波段有很高的偵測(cè)效率,所述碘化銫晶體呈針狀,直徑為5-10um,長為600um,針狀碘化銫晶體可以進(jìn)一步提高捕獲X線的能力,并減少散射光。
所述光電層3與所述電荷讀出層4相連接,所述光電層3為光電二極管電路,所述光電二極管電路材料為非晶體硅,光電二極管將可見光轉(zhuǎn)換成電荷信號(hào)。
所述電荷讀出層4為電荷讀出電路,電荷讀出電路將光電二極管轉(zhuǎn)換的電荷信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào),完成數(shù)字化采集,然后輸出到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中成像。
下面對(duì)本發(fā)明的一種防水?dāng)?shù)字X射線平板探測(cè)器的工作原理進(jìn)行詳細(xì)介紹。
閃爍層2經(jīng)X射線曝光后,將X射線光子轉(zhuǎn)換為可見光,而后光電層3將可見光轉(zhuǎn)換成電荷信號(hào),最后電荷讀出層4將光電層3轉(zhuǎn)換的電荷信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào),完成數(shù)字化采集,然后輸出到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中成像,保護(hù)層1使其高濕度及完全暴露的環(huán)境下也能非??煽俊?/p>
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明防水?dāng)?shù)字X射線平板探測(cè)器不僅可以有效的增加圖像質(zhì)量,而且在高濕度及完全暴露的環(huán)境下也能非??煽?。
以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
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