[發明專利]一種電子元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310628077.9
• 申請日: 2013-11-28
• 公開（公告）號: CN103606448A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 鄭衛衛;吳震;戴春雷;孫峰;劉先忺
• 申請（專利權）人: 深圳順絡電子股份有限公司
• 主分類號: H01F37/00
• 分類號: H01F37/00;H01F41/00
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 王震宇

1.一種電子元件制造方法，其特征在于,包括以下步驟：

a.制備薄膜基片；

b.制備基材漿料,所述基材漿料是與所述薄膜基片相匹配的材料；

c.在所述薄膜基片上制作導電電極；

d.在制有所述導電電極的所述薄膜基片上旋涂所述基材漿料，將具有流動性的基材漿料平整涂布在薄膜基片上；

e.將多個經過步驟a～d處理的薄膜基片疊層后成型。

2.如權利要求1所述的電子元件制造方法，其特征在于,步驟d包括：將所述基材漿料填充在所述薄膜基片表面凹陷的位置，然后使薄膜基片圍繞垂直于所述薄膜基片表面的軸旋轉，通過離心力使所述基材漿料分布在制有所述導電電極的所述薄膜基片表面，形成所述基材漿料與所述導電電極的頂部平齊的平整表面。

3.如權利要求2所述的電子元件制造方法，其特征在于,步驟d包括連續的兩級旋涂過程，其中第一級旋涂過程中薄膜基片的旋轉速率為1000r/min，優選的旋涂時間為18s～25s，第二級旋涂過程中薄膜基片的旋轉速率為2000～2200r/min，優選的旋涂時間為20s。

4.如權利要求1至3任一項所述的電子元件制造方法，其特征在于,所述基材漿料的材料與所述薄膜基片相匹配，至少是指這兩種材料成膜后，其燒結收縮率相同。

5.如權利要求1至3任一項所述的電子元件制造方法，其特征在于,步驟a包括：

a1.將重量百分比為35%～45%的Al₂O₃和重量百分比為55%～65%的硼硅玻璃的混合制備粉末狀混合物；

a2.將所述粉末狀混合物與酯類溶液攪拌混合，并加入有機粘合劑和分散劑攪拌，形成陶瓷漿料；

a3.涂布所述陶瓷漿料以形成所述薄膜基片。

6.如權利要求5所述的電子元件制造方法，其特征在于,所述基材漿料通過以下步驟制作：

b1.將重量百分比為35%～45%粉末狀的Al₂O₃和重量百分比為55%～65%的硼硅玻璃的混合制備粉末狀混合物;

b2.將所述粉末狀混合物與去離子水攪拌混合，并加入水性粘合劑和分散劑攪拌，形成漿料，通過堿性物質調節漿料的pH在6.5～7.5。

7.如權利要求1至3任一項所述的電子元件制作方法，其特征在于：所述薄膜基片是氧化鋁基片、鐵氧體基片、玻璃膜片、PET膜片中的一種。

8.如權利要求7所述的電子元件制作方法，其特征在于：所述氧化鋁基片是粉末狀的Al₂O₃和粉末狀的硼硅玻璃的混合物制作的氧化鋁基片。

9.如權利要求1至3任一項所述的電子元件制作方法，其特征在于：步驟c包括：

c1.配制導電電極漿料，所述導電電極漿料是介電常數在0.016～0.025mm*ohm的銀漿或銅漿；

c2.通過印刷或光刻法將導電漿料涂布在薄膜基片上，形成所述導電電極。

10.一種電子元件，其特征在于,所述電子元件使用權利要求1至9任一項所述的電子元件制作方法制成。