[發(fā)明專利]一種檢測(cè)光刻工藝中電荷損傷的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310627626.0
• 申請(qǐng)日: 2013-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN104681461A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈今楷;李亮;劉春玲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種檢測(cè)光刻工藝中電荷損傷的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，在芯片設(shè)計(jì)時(shí)在芯片或者劃片槽中增加檢測(cè)圖形；

步驟2，制備相應(yīng)的光刻版；

步驟3，用帶有檢測(cè)圖形的光刻版進(jìn)行光刻工藝，在檢測(cè)圖形區(qū)域電荷積聚；

步驟4，進(jìn)行濕法工藝；

步驟5，對(duì)檢測(cè)圖形進(jìn)行缺陷檢測(cè)和光刻工藝電荷損傷的評(píng)估。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1中，所述檢測(cè)圖形是重復(fù)周期排列的單元陣列，該單元陣列的行列數(shù)分別為：2到10¹⁰⁰，行列數(shù)的選擇根據(jù)晶圓上可用面積決定，行列數(shù)越多檢測(cè)效果越好。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，步驟1中，所述檢測(cè)圖形的單元是圓形，工字形，或者多邊形。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，步驟1中，所述檢測(cè)單元的邊長(zhǎng)范圍在1倍到10倍的最小尺寸，該最小尺寸為設(shè)計(jì)規(guī)則允許的最小尺寸；所述檢測(cè)單元的面積為0.0001平方微米到100平方微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3中，所述光刻工藝中，光刻膠類型為正膠或者負(fù)膠，光刻的特征尺寸：0.001到5微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3中，進(jìn)行光刻工藝時(shí)，晶圓襯底是氧化硅（SixOy），氮化硅（SixNy），或者其他硅化合物材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4中，所述濕法工藝是濕法刻蝕工藝，濕法去膠工藝，或者是濕法洗凈工藝。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5中，所述缺陷檢測(cè)方法是顯微鏡人工鏡檢，或者是自動(dòng)缺陷檢測(cè)；檢測(cè)發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)判定為發(fā)生電荷積聚損傷，所述缺陷的分類為：晶圓表面的損傷或者擊穿，硅襯底的擊穿，晶圓上光刻圖形的變形或者缺失。