[發明專利]晶體硅太陽能電池的硼擴散裝置及方法

有效

• 申請號: 201310627425.0
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103633190A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 袁廣鋒;何廣川;陳艷濤;李雪濤
• 申請（專利權）人: 英利集團有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B31/06
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種用于晶體硅太陽能電池的硼擴散裝置，包括：

爐管（10），具有第一進氣口（12）；以及

尾氣瓶（20），與所述爐管（10）的尾部連通；

其特征在于，所述第一進氣口（12）設置在所述爐管（10）的管壁上，且位于所述爐管（10）的水平方向中分面以上。

2.根據權利要求1所述的硼擴散裝置，其特征在于，所述第一進氣口（12）設置在靠近爐門（11）一端的所述爐管（10）的管壁上。

3.根據權利要求1所述的硼擴散裝置，其特征在于，所述爐管（10）還具有第二進氣口（13），所述第二進氣口（13）設置在爐門（11）的中心位置處。

4.根據權利要求1所述的硼擴散裝置，其特征在于，所述第一進氣口（12）為兩個，兩個所述第一進氣口（12）對稱地設置在所述爐管（10）的豎直方向中分面兩側的管壁上。

5.根據權利要求4所述的硼擴散裝置，其特征在于，兩個所述第一進氣口（12）與所述爐管（10）的豎直方向中分面之間的弧度夾角為θ，其中45°≤θ≤75°。

6.根據權利要求5所述的硼擴散裝置，其特征在于，兩個所述第一進氣口（12）與所述爐管（10）的豎直方向中分面之間的弧度夾角θ為60°。

7.根據權利要求2所述的硼擴散裝置，其特征在于，還包括設置在所述爐管（10）的底部的尾氣導氣管，所述尾氣導氣管的第一端延伸至所述爐門（11）處，所述尾氣導氣管的第二端延伸至所述尾氣瓶（20）內。

8.一種晶體硅太陽能電池的硼擴散方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，將制絨后的硅片放入權利要求1至7中任一項所述的硼擴散裝置中；

S2，升溫所述硅片，同時通入硼源、氧氣以及第一氮氣，使所述硼源和所述氧氣在所述硅片表面沉積擴散；以及

S3，降溫，并向所述硅片的表面通入水蒸汽，濕氧氧化，得到硼擴散后的所述硅片。

9.根據權利要求8所述的硼擴散方法，其特征在于，升溫所述硅片至930℃～950℃，所述硼源為三溴化硼，所述硼源的流量為200sccm～400sccm，所述氧氣的流量為65sccm～150sccm，所述第一氮氣的流量為15.5slm～19.0slm，所述沉積擴散的時間為30～40分鐘。

10.根據權利要求8所述的硼擴散方法，其特征在于，所述步驟S3中降溫至700～750℃，所述水蒸汽的流量為400sccm～1000sccm，所述濕氧化的時間為10～20分鐘。