[發(fā)明專利]一種CIGS太陽能電池吸收層的生產(chǎn)設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310627390.0 | 申請日: | 2013-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN103594562A | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 伍祥武;陳進中;莫經(jīng)耀;吳伯增;林東東;甘振英 | 申請(專利權(quán))人: | 柳州百韌特先進材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州凱東知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44259 | 代理人: | 姚迎新 |
| 地址: | 545006 廣西壯族自治區(qū)*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 cigs 太陽能電池 吸收 生產(chǎn) 設(shè)備 | ||
1.一種CIGS太陽能電池吸收層的生產(chǎn)設(shè)備,包括輸送吸收層襯底至腔體內(nèi)的輸送帶,其特征在于:四對上、下隔板將腔體分隔成預熱段、硒化段和冷卻段,預熱段內(nèi)安裝有加熱裝置,硒化段連接有硒蒸氣產(chǎn)生裝置,硒蒸氣產(chǎn)生裝置通過噴射裝置向移動的襯底噴射硒蒸氣,硒化段上安裝有溫控裝置,在硒化段兩端的上隔板或下隔板上分別開具有惰性氣體進氣孔和排氣孔,冷卻段內(nèi)設(shè)有冷卻水套。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于:所述加熱裝置為紅外燈、鹵素燈或感應線圈。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于:硒蒸氣產(chǎn)生裝置包括放置硒源的料桶,料桶內(nèi)設(shè)有將硒源加熱成蒸汽的加熱絲,料桶的蒸汽出口連通一裂解室,該裂解室內(nèi)通有惰性氣體,惰性氣體通過兩電極生成等離子帶電體,硒蒸汽通過等離子帶電體裂解后進入所述噴射裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于:所述預熱段與硒化段、硒化段與冷卻段均呈臺梯狀,所述進氣孔和排氣孔分別設(shè)置于兩臺階面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng),其特征在于:所述硒化段通過兩對上、下?lián)醢宸指魹閲娡繀^(qū)、反應區(qū)和進氣區(qū),上、下?lián)醢逯g留有供輸送帶移動的間隙,噴涂區(qū)內(nèi)安裝有所述噴射裝置;在噴涂區(qū)與反應區(qū)之間、反應區(qū)和進氣區(qū)之間的上擋板或下?lián)醢迳暇O(shè)有氣體通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于:所述進氣孔、通孔、排氣孔交錯排列。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于:所述進氣孔設(shè)置于冷卻段與硒化段之間的下?lián)醢迳稀?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項所述的生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于:所述噴射裝置包括數(shù)個噴嘴,數(shù)個噴嘴分布成與輸送帶運動方向垂直的一列。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項所述的生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于:所述噴射裝置包括一硒蒸氣管,該硒蒸氣管上開具有至少一排噴射孔,每一排噴射孔與輸送帶運動方向垂直。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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