[發明專利]N型硅片的硼擴散方法、晶體硅太陽能電池及其制作方法

有效

• 申請號: 201310627344.0
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103632934B
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發明（設計）人: 袁廣鋒;何廣川;陳艷濤;李雪濤
• 申請（專利權）人: 英利集團有限公司
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22;H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 吳貴明,張永明

1.一種N型硅片的硼擴散方法，其特征在于，包括以下步驟：

沉積階段，將濕法刻蝕后的硅片放入擴散爐內升溫至預定沉積溫度，并通入硼源、氧氣和氮氣使其在所述硅片表面進行沉積，在所述沉積階段，所述沉積的溫度為890℃～940℃，所述沉積的時間為15～40分鐘，所述氮氣的流量為22～24slm，所述氧氣的流量為30sccm～320sccm，所述硼源的流量為120sccm～1000sccm；

推進擴散階段，停止通入氧氣和硼源，繼續通入氮氣，同時將表面沉積后的所述硅片升溫至預定擴散溫度，推進擴散，以5～15℃/分鐘將表面沉積后的所述硅片升溫至950℃～1000℃，恒溫擴散20～30分鐘；以及

后氧化階段，將擴散后的所述硅片降溫，并在所述降溫的過程中通入所述氧氣和所述氮氣，在所述后氧化階段，所述氧氣的流量為10～20slm，所述氮氣的流量為5slm～10slm。

2.根據權利要求1所述的硼擴散方法，其特征在于，在所述沉積階段，所述沉積的溫度為900℃～930℃，所述沉積的時間為20～30分鐘，所述氮氣的流量為22～23slm，所述氧氣的流量為30sccm～160sccm，所述硼源的流量為120sccm～450sccm。

3.根據權利要求2所述的硼擴散方法，其特征在于，在所述沉積階段，所述沉積的溫度為925℃，所述沉積的時間為25分鐘，所述氮氣的流量為22.5slm，所述氧氣的流量為65sccm，所述硼源的流量為200sccm。

4.根據權利要求1所述的硼擴散方法，其特征在于，以10℃/分鐘將表面沉積后的所述硅片升溫至960℃，恒溫擴散25分鐘。

5.根據權利要求1所述的硼擴散方法，其特征在于，以4～5.2℃/分鐘將表面沉積后的所述硅片降溫至750℃～850℃。

6.根據權利要求5所述的硼擴散方法，其特征在于，以4～5.2℃/分鐘將表面沉積后的所述硅片降溫至800℃。

7.一種晶體硅太陽能電池的制作方法，包括硼擴散步驟，其特征在于，所述硼擴散步驟采用權利要求1至6中任一項所述的硼擴散方法。

8.一種晶體硅太陽能電池，其特征在于，采用權利要求7所述的制作方法制作而成。