[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310627337.0
• 申請(qǐng)日: 2013-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN104681494A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋化龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8247
• 分類號(hào): H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/423
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的制備方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有隧穿氧化層、浮柵層以及掩膜層；

圖案化所述掩膜層、所述浮柵層、所述隧穿氧化層和所述半導(dǎo)體襯底，在形成浮柵疊層的同時(shí)在所述浮柵疊層兩側(cè)的所述半導(dǎo)體襯底中形成淺溝槽；

選用隔離材料填充所述淺溝槽，以形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

去除所述掩膜層，以在所述浮柵層上方形成凹槽；

回蝕刻所述凹槽兩側(cè)的所述隔離材料，以擴(kuò)大所述凹槽的關(guān)鍵尺寸；

在所述關(guān)鍵尺寸擴(kuò)大的凹槽的底部和側(cè)壁上沉積半球狀浮柵膜，以形成浮柵結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述關(guān)鍵尺寸擴(kuò)大的凹槽的底部和側(cè)壁上沉積半球狀浮柵膜的方法為：

在所述關(guān)鍵尺寸擴(kuò)大的凹槽中以及所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上沉積半球狀浮柵膜；

執(zhí)行平坦化步驟，以去除所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上的半球狀浮柵膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進(jìn)一步包括：

蝕刻所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)至所述浮柵層的頂部，以露出所述半球狀浮柵膜；

在所述半球狀浮柵膜以及所述隔離材料上沉積ONO材料層和控制柵層；

圖案化所述ONO材料層和所述控制柵層，以形成柵極疊層結(jié)構(gòu)；

執(zhí)行源漏注入步驟，以在所述柵極疊層結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成源漏區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜層選用氮化硅；所述隔離材料選用氧化物。

5.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

隧穿氧化層，位于所述半導(dǎo)體襯底上；

浮柵結(jié)構(gòu)，位于所述隧穿氧化層上，包括浮柵層以及位于所述浮柵層上的半球狀浮柵膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述半球狀浮柵膜整體呈凹形，其內(nèi)表面具有半球狀浮柵晶粒，以增加所述浮柵結(jié)構(gòu)的表面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還包括：

ONO材料層，位于所述半球狀浮柵膜上方；

控制柵層，位于所述ONO材料層的上方。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還包括淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)位于所述浮柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述半導(dǎo)體襯底中。