[發(fā)明專利]多量程CMOS MEMS電容式濕度傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310627328.1 | 申請(qǐng)日： | 2013-11-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103645219B | 公開(kāi)（公告）日： | 2016-11-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 薛惠瓊;王瑋冰;田龍坤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心 |
| 主分類號(hào)： | G01N27/22 | 分類號(hào)： | G01N27/22 |
| 代理公司： | 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;劉海 |
| 地址： | 214135 江蘇省無(wú)錫市新*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多量 cmos mems 電容 濕度 傳感器 | ||
1.一種多量程CMOS?MEMS電容式濕度傳感器，其特征是：包括多個(gè)連接在一起的傳感器單元（12），所述傳感器單元（12）包括一對(duì)叉指狀的上電極（2）和下電極（1），下電極（1）穿過(guò)SiO2氧化層（10）設(shè)置在硅基底（8）的同一表面上，上電極（2）位于下電極（1）的上方，上電極（2）的叉指與下電極（1）的叉指在高度方向上重合，在上電極（2）和下電極（1）之間、上電極（2）的叉指之間、下電極（1）的叉指之間填充濕度敏感介質(zhì)（7）；在所述上電極（2）的上方設(shè)置鋁條（3），鋁條（3）位于上電極（2）、下電極（1）的叉指之間，在鋁條（3）和上電極（2）之間填充濕度敏感介質(zhì)（7）；在所述上電極（2）和下電極（1）正下方的硅基底（8）上形成空腔（9），使下電極（1）以及下電極（1）叉指間的濕度敏感介質(zhì)（7）直接與空氣接觸；所述傳感器單元（12）由鋁條（3）串聯(lián)在一起。
2.如權(quán)利要求1所述的多量程CMOS?MEMS電容式濕度傳感器，其特征是：所述每個(gè)傳感器單元（12）分別由壓焊塊（11）連接在硅基底（8）上表面。
3.如權(quán)利要求1所述的多量程CMOS?MEMS電容式濕度傳感器，其特征是：每個(gè)傳感器單元（12）的叉指面積不同。
4.如權(quán)利要求1所述的多量程CMOS?MEMS電容式濕度傳感器，其特征是：所述上電極（2）和下電極（1）采用金屬鋁。
5.如權(quán)利要求1所述的多量程CMOS?MEMS電容式濕度傳感器，其特征是：所述濕度敏感介質(zhì)（7）為聚酰亞胺。
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