[發明專利]一種半導體處理裝置及應用于半導體處理裝置的氣體分布板

在審

• 申請號: 201310627145.X
• 申請日: 2013-11-28
• 公開（公告）號: CN104674190A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 杜志游
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種半導體處理裝置，包括：

反應腔，反應腔內包括一個沿旋轉軸旋轉的基座，基座上設置有待處理基片，反應腔內與所述旋轉基座相對的是一個供氣系統；

所述供氣系統包括一個氣體分布腔和一個分流器，分流器接收來自氣源的反應氣體并通過第一輸出端和第二輸出端輸出第一和第二處理氣體到所述氣體分布腔內；

氣體分布腔包括面向所述基座的第一表面，第一表面包括多個通氣孔聯通到氣體分布腔將反應氣體供應到所述基片；

所述氣體分布腔內還包括一個隔離壁將所述氣體分布腔分隔成中心腔和環繞所述中心腔的外圍腔，所述中心腔與所述第一輸出端相聯通接收第一處理氣體，外圍腔與所述第二輸出端相聯通接收第二處理氣體；

其特征在于所述隔離壁與所述旋轉軸具有不同距離。

2.如權利要求1所述半導體處理裝置，其特征在于，所述隔離壁是多邊形。

3.如權利要求2所述半導體處理裝置，其特征在于，所述半導體處理裝置用于化學氣相沉積。

4.如權利要求1所述半導體處理裝置，其特征在于，所述第一處理氣體和第二處理氣體具有不同的流量或者反應氣體濃度。

5.如權利要求1所述半導體處理裝置，其特征在于，所述分流器用以調節第一處理氣體和第二處理氣體的流量比例，或者反應氣體濃度比例。

6.如權利要求1所述半導體處理裝置，其特征在于，所述隔離壁與所述旋轉軸具有最小距離R1和最大距離R2，所述隔離壁內側的通氣孔的氣體流量具有第一氣體流量F1，隔離壁外側的通氣孔的氣體流量具有第二氣體流量F2，

在R1到R2的過渡區域內，距離旋轉軸具有相同距離的圓環上，具有F1流量的氣孔與具有F2流量的比例為P，其中P隨著與所述旋轉軸距離增加而減少。

7.一種應用于半導體處理裝置的氣體分布板包括：底板和頂板，底板和頂板共同構成一個氣體分布腔，所述底板包括一個氣體擴散板，氣體擴散板下表面包括多個氣體通孔，氣體擴散板邊緣包括向上延伸的側壁，與所述頂板配合共同構成氣體分布腔；

氣體分布板內包括至少一個隔離壁，將所述氣體分布腔隔離成內腔和外腔，所述隔離壁在不同位置處與所述側壁具有不同的距離。

8.如權利要求1所述氣體分布板，其特征在于，所述側壁呈圓環型，所述隔離壁呈多邊形。

9.如權利要求1所述氣體分布板，其特征在于，所述內腔和外腔均包括一個進氣口以接受不同流量或濃度的處理氣體。

10.如權利要求9所述氣體分布板，其特征在于，所述進氣口位于所述頂板上。