[發明專利]具有抑制粉末產生功能的半導體制造裝置

有效

• 申請號: 201310627015.6
• 申請日: 2013-11-28
• 公開（公告）號: CN103871930A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 金基南
• 申請（專利權）人: M.I株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京康盛知識產權代理有限公司 11331
• 代理人: 張良

技術領域

本發明涉及半導體制造裝置，更為詳細地，涉及一種如下的具有抑制粉末產生功能的半導體制造裝置：用于抑制在制造半導體或液晶顯示器（LCD）時從化學氣相蒸鍍（CVD，Chemical?Vapor?Deposition）處理腔排出并通過真空泵的氣體中的反應副產物以粉末狀蒸鍍在排氣管內，在前級管道（Fore?line）及排氣管道（exhaust?line）內分別配置加熱組件并一同使用直接及間接加熱方式，從而能夠延長前級管道及排氣管道的清洗周期。

背景技術

一般來講，半導體制造工序大體由前工序（制造工序）和后工序（封裝工序）構成。

前工序中，在各種處理腔內，在晶片（Wafer）上蒸鍍薄膜，并對所蒸鍍的薄膜進行選擇性刻蝕，通過反復執行這些過程來加工特定的圖案，從而制造半導體芯片（Chip）。并且，后工序中，單獨分離出在前工序中制造的芯片后，與引線框架（Lead?frame）結合來封裝為成品。

此時，在晶片上蒸鍍薄膜或對在晶片上蒸鍍的薄膜進行刻蝕工序在處理腔內使用有害氣體在高溫下執行。在執行這種工序的期間，在處理腔的內部會大量產生各種可燃性氣體和包括腐蝕性雜質及有毒成分的氣體等。即，在處理腔內部只有有害氣體的約30%蒸鍍在晶片的表面，一部分未反應的氣體則排出。

因此，在用于使處理腔成為真空狀態的真空泵的后端設置用于將從處理腔排出的氣體凈化后向大氣放出的洗滌器（scrubber）。

但是，發生了氣體在處理腔和真空泵之間固化而變為粉末的情況，粉末粘著于前級管道和排氣管道，致使排氣壓力上升的同時，在粉末流入真空泵的情況下，引起真空泵的故障。即，從處理腔向泵排出的氣體中的反應副產物（By-product）粘著于前級管道及排氣管道的內壁，引發了前級管道和排氣管道的堵塞現象，并由于固著于真空泵的本體，而致使真空泵受損，從而縮短了壽命。

由此，正從各方面致力于解決如上所述的問題，作為具有代表性方案之一，在前級管道或排氣管道的外部表面配置加熱套（heating?jacket）。但是，由于這采用的是間接加熱方式，因而存在粉末的去除效率低的問題，由此需要向直接加熱方式進行轉換。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：韓國1020070030615A

專利文獻2：韓國200366263Y1

發明內容

本發明用于解決如上所述的問題，本發明的目的在于，提供如下的具有抑制粉末產生功能的半導體制造裝置：在前級管道及排氣管道分別配置加熱組件，一同使用直接及間接加熱方式，經前級管道和排氣管道進行雙重加熱，能夠有效抑制從處理腔排出并通過真空泵的氣體中的反應副產物以粉末狀蒸鍍在前級管道及排氣管道內。

為了達成上述目的，本發明提供一種具有抑制粉末產生功能的半導體制造裝置，由用于連接處理腔與真空泵之間的前級管道和用于連接上述真空泵與洗滌器之間的排氣管道構成，其特征在于，包括分別配置于上述前級管道和排氣管道的加熱組件。

在此，優選地，上述前級管道包括：中心連接管，一對L字形的中間連接管，與上述中心連接管形成直角，并分別與上述中心連接管的兩端相連接，以及垂直連接管，設置于上述中間連接管中的一個；一對上述中間連接管配置為彼此在一條直線上。

優選地，上述加熱組件包括：加熱套，以包覆上述前級管道和排氣管道的外表面的方式設置，以及內部加熱器（inner?heater），設置于上述前級管道和排氣管道的內部；上述內部加熱器包括：公端子和母端子，絕緣材料，包覆上述公端子和母端子來使它們絕緣，以及鎂金屬保護管，壓縮并包覆上述絕緣材料的外周面；上述內部加熱器為線圈型。

優選地，上述絕緣材料的密度為2g/cm²～3g/cm²。

優選地，對上述鎂金屬保護管的內部和外部的表面還涂敷氮化鉻（Chromium?Nitride）。

優選地，以上述鎂金屬保護管的內部和外部的表面還涂敷類金剛石碳（DLC，Diamond-like-Carbon）。

優選地，對上述公端子和母端子同時壓縮絕緣材料及鎂金屬保護管。

優選地，還設有第二溫度傳感器，所述第二溫度傳感器向上述前級管道和排氣管道的中空內露出，用于將上述前級管道和排氣管道的內部維持在適當溫度。

優選地，還設有第一溫度傳感器，所述第一溫度傳感器設置于上述前級管道和排氣管道，用于防止上述前級管道和排氣管道過熱。