[發明專利]一種有源電感型壓控振蕩器有效
| 申請號: | 201310626620.1 | 申請日: | 2013-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN103633940A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發明(設計)人: | 劉曉為;高志強;尹亮 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號: | H03B5/18 | 分類號: | H03B5/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 150001 黑龍江省哈爾濱市*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有源 電感 壓控振蕩器 | ||
1.一種有源電感型壓控振蕩器,包括LC諧振回路和負阻電路,其特征在于:所述的LC諧振回路包括第一有源電感、電容單元和第二有源電感,第一有源電感的一端連接第一高電平,第一有源電感的另一端分別連接電容單元的一端和壓控振蕩器的第一輸出端,第二有源電感的一端連接第二高電平,第二有源電感的另一端分別連接電容單元的另一端和壓控振蕩器的第二輸出端,所述的負阻電路包括第一NMOS管、第二NMOS管和偏置電流源,第一NMOS管和第二NMOS管交叉連接,第一NMOS管的柵極連接第二輸出端,第二NMOS管的柵極連接第一輸出端,第一NMOS管的漏極連接第一輸出端,第二NMOS管的漏極連接第二輸出端,偏置電流源的一端分別連接第一NMOS管的源極和第二NMOS管的源極,偏置電流源的另一端連接地。
2.如權利要求1所述的一種有源電感型壓控振蕩器,其特征在于:所述的第一有源電感包括第一PMOS管和第三NMOS管,第一PMOS管的源極連接第一高電平,第一PMOS管的漏極連接第一輸出端,第一PMOS管的柵極連接第三NMOS管的漏極,第三NMOS管的柵極連接第一直流偏置電平,第三NMOS管的源極連接第一輸出端。
3.如權利要求1所述的一種有源電感型壓控振蕩器,其特征在于:所述的第二有源電感包括第二PMOS管和第四NMOS管,第二PMOS管的源極連接第二高電平,第二PMOS管的漏極連接第一輸出端,第二PMOS管的柵極連接第四NMOS管的漏極,第四NMOS管的柵極連接第三直流偏置電平,第四NMOS管的源極連接第二輸出端。
4.如權利要求1所述的一種有源電感型壓控振蕩器,其特征在于:所述的電容單元包括兩個對稱的固定電容和兩個變容二極管,第一固定電容的一端連接第一PMOS管的漏極,第一固定電容的另一端連接第一變容二極管的一端,第一變容二極管的另一端分別連接第一參考電平和第二變容二極管的一端,第二變容二極管的另一端連接第二固定電容的一端,第二固定電容的另一端連接第二PMOS管的漏極。
5.如權利要求1所述的一種有源電感型壓控振蕩器,其特征在于:所述的偏置電流源包括第五NMOS管,第五NMOS管的漏極分別連接第一NMOS管的源極和第二NMOS管的源極,第五NMOS管的柵極連接第五直流偏置電平,第五NMOS管的源極接地。
6.如權利要求1或5所述的一種有源電感型壓控振蕩器,其特征在于:所述的第五NMOS管為負阻調諧管,能夠調諧負阻大小。
7.如權利要求1所述的一種有源電感型壓控振蕩器,其特征在于:還包括第一偏置NMOS管和第二偏置NMOS管,第一偏置NMOS管的漏極連接第三NMOS管的漏極,第一偏置NMOS管的柵極連接第二直流偏置電平,第一偏置NMOS管的源極接地;第二偏置NMOS管的漏極連接第四NMOS管的漏極,第二偏置NMOS管的柵極連接第四直流偏置電平,第二偏置NMOS管的源極接地。
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