[發明專利]一種多個單組件SiC滅磁電阻并聯后能容量計算方法

有效

• 申請號: 201310625964.0
• 申請日: 2013-11-28
• 公開（公告）號: CN103616593A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發明（設計）人: 吳跨宇;盧嘉華;陳新琪;黃曉明;陸承宇;樓伯良;熊鴻韜;盧岑岑;沈軼君;華文
• 申請（專利權）人: 國家電網公司;國網浙江省電力公司電力科學研究院
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00
• 代理公司: 浙江翔隆專利事務所(普通合伙) 33206
• 代理人: 張建青

1.一種多個單組件SiC滅磁電阻并聯后能容量計算方法，其步驟如下：1)選擇需要進行實際可用能容量計算的由多個單組件SiC滅磁電阻并聯組成的多組件，根據該類型單組件SiC滅磁電阻的設計參數，獲取所述單組件的標稱額定能容量、設計溫度上限值和給定注入能容量下的理論溫升；

2)通過控制電壓和電流并實時計算功率積分的方式，向單組件注入80%標稱額定能容量，使其吸收能量后溫度上升；再使用紅外成像儀監測單組件表面溫度上升過程達到頂值時，進行三向紅外成像，保證單組件表面測溫的全面性和同時性，根據三向紅外成像數據和測試前的單組件初始表面溫度，計算單組件表面溫度的平均溫升、最高溫升和均溫系數；

3)根據單組件的設計參數、均溫系數和運行環境溫度計算單組件實際允許注入能量限值；

4)多組件的能量注入均能試驗：多組件注入設定的能量，再基于各個單組件能量注入過程中的電壓、電流計算相應單組件實際吸收的能量數據，計算各個單組件吸收的能量在多組件吸收的總能量中的占比，即吸收能量占比；

5)根據單組件的實際允許注入能量限值和該單組件在多組件能量注入均能試驗中的吸收能量占比，來計算由該單組件能量限值決定的整組總允許吸收能量值，再取各單組件決定的整組總允許吸收能量值的最小值作為多組件可用能容量；

6)根據單組件80%能量注入試驗的實際溫升、實際注入能量和標注額定能容量下理論溫升計算散熱反系數，并采用散熱反系數對多組件可用能容量進行修正，得到多組件實際可用能容量；所述的散熱反系數=單組件80%能量注入試驗實際溫升能量比/多組件理論溫升能量比，多組件實際可用能容量=多組件可用能容量×散熱反系數。

2.根據權利要求1所述的多個單組件SiC滅磁電阻并聯后能容量計算方法，其特征在于，步驟2)中，所述單組件表面溫度的均溫系數的計算公式如下：

其中T為i點的表面溫度，n為測試表面用于計算的溫度點數；在取溫度點時以取典型點為原則，取的點數越多均溫系數計算結果越準確。

3.根據權利要求1或2所述的多個單組件SiC滅磁電阻并聯后能容量計算方法，其特征在于，步驟3)中，單組件實際允許注入能量限值的具體計算步驟如下：

a)根據單組件的設計參數，計算單組件理論溫升能量比=給定注入能量下的理論溫升/給定注入能量；

b)根據單組件設計溫度上限值與單組件運行環境溫度，求取單組件允許溫升=單組件設計溫度上限值-單組件運行環境溫度；

c)根據均溫系數求取單組件實際允許注入能量限值=單組件允許溫升×均溫系數/單組件理論溫升能量比。

4.根據權利要求1或2所述的多個單組件SiC滅磁電阻并聯后能容量計算方法，其特征在于，步驟5)中，單組件能量限值決定的整組總允許吸收能量值=單組件的實際允許注入能量限值/該單組件在多組件能量注入均能試驗中的吸收能量占比。

5.根據權利要求1或2所述的多個單組件SiC滅磁電阻并聯后能容量計算方法，其特征在于，步驟6)中，根據單組件80%能量注入試驗計算試驗實際溫升能量比，該單組件80%能量注入試驗實際溫升能量比=試驗實際平均溫升/試驗實際注入能量值。