[發明專利]TEM樣品的制作方法及其TEM樣品有效
| 申請號： | 201310625537.2 | 申請日： | 2013-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN103645075B | 公開（公告）日： | 2017-04-12 |
| 發明（設計）人： | 陳強;邱燕蓉 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tem 樣品 制作方法 及其 | ||
【權利要求書】：
1.一種TEM樣品的制作方法，其特征在于，包括：
提供樣品，所述樣品中具有目標區域，所述樣品為硅襯底及其上覆蓋的芯片材料層；
對所述樣品進行截面研磨工藝，截面研磨后的樣品的邊緣與所述目標區域的距離為2-10微米；
在所述截面研磨后的樣品上形成單側大坑，所述截面研磨后的樣品的厚度減薄為1-3微米;
去除硅襯底上覆蓋的所述芯片材料層,保留樣品；
使用FIB方法對減薄后的樣品進行平面制樣，形成TEM樣品。
2.如權利要求1所述的TEM樣品的制作方法，其特征在于，所述去除硅襯底上覆蓋的所述芯片材料層的步驟在所述截面研磨后的樣品上形成單側大坑的步驟之后形成。
3.如權利要求1所述的TEM樣品的制作方法，其特征在于，所述去除硅襯底上覆蓋的所述芯片材料層為利用酸性溶液去除。
4.如權利要求3所述的TEM樣品的制作方法，其特征在于，所述酸性溶液為氫氟酸。
5.如權利要求1所述的TEM樣品的制作方法，其特征在于，形成的TEM樣品的厚度范圍為0.1-0.3微米。
6.如權利要求1所述的TEM樣品的制作方法，其特征在于，還包括：在將所述硅襯底上覆蓋的所述芯片材料層去除后，對樣品進行表面清洗的步驟。
7.利用權利要求1所述方法制作的TEM樣品，其特征在于，所述TEM樣品的厚度范圍為0.1-0.3微米。
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