[發明專利]一種能夠調節的電流采樣電路

在審

• 申請號: 201310623279.4
• 申請日: 2013-11-30
• 公開（公告）號: CN104034933A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 張俊
• 申請（專利權）人: 陜西易陽科技有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 西安億諾專利代理有限公司 61220
• 代理人: 劉斌

技術領域

本發明涉及集成電路領域，特別涉及用于模擬集成電路中的一種能夠調節的電流采樣電路。

背景技術

在集成電路的中，尤其是模擬集成電路中，為了檢測大電流，因為功耗等的要求需要對電流進行采樣后在進行檢測。而通常的電流的采樣電路只能有一種采樣值。

這樣的方案主要存在以下缺陷：

因為只能采樣一種電流，所以它所能檢測的電流值只有一種，不便于實現多種電流值的采樣檢測。

發明內容

為了解決電流檢測電路只能采樣一種電流值，不便于實現多種電流值的采樣檢測的缺點。

本發明的解決方案如下：

一種能夠調節的電流采樣電路，包括管腳Ps、分流功率NMOS管（3）、采樣功率NMOS管M2（4）、采樣功率NMOS管M3（5）、采樣功率NMOS管M4（6）和采樣電阻Rs（8），分流功率NMOS管（3）和采樣功率NMOS管M2（4）、M3（5）、M4（6）的漏極接管腳Ps，分流功率NMOS管（3）和采樣功率NMOS管M2（4）的柵極接電源Vin，采樣電阻Rs（8）的一端接采樣管M2（4）、M3（5）、M4（6）的源極，另一端接地。采樣功率NMOS管M3（5）和M4（6）的柵極由能夠調節的連接部件控制；

所述能夠調節的電流采樣電路中的能夠調節的連接部件為熔絲。

所述能夠調節的電流采樣電路中中的能夠調節的連接部件為聚焦離子束。

本發明具有以下優點：

通過熔絲或者FIB（聚焦離子束，Focused?Ion?beam)就可以實現不同的采樣電流值。不需要額外的控制電路或者輸入信號即可實現，方式簡單，成本低廉。

附圖說明

圖1為本發明的示意圖。

具體實施方式

????如圖1所示，M1、M2、M3、M4為功率NMOS管。M1為分流管，M2、M3、M4為采樣管。其中M1、M2柵極接電源Vin，因此M1、M2是處于常導通狀態，為固定接入狀態。M3、M4的導通狀態通過熔絲7進行控制。M3、M4的柵極分別通過熔絲7可接到電源或地。當M3、M4的柵極通過熔絲7接到電源時M3、M4導通；當M3、M4的柵極通過熔絲7接到地時M3、M4截止。根據實際需要選擇設置熔絲的連接狀態，從而控制M3、M4的導通狀態。管腳Ps?接功率MOS管M1、M2、M3、M4的漏極。采樣電阻Rs一端接采樣管M2、M3、M4的源極，另一端接地。

圖1中的熔絲為全部連接的狀態，這只是示意圖。而實際使用中熔絲需要進行選擇設置，而不能全部接通，即M3和M4的柵極不能同時接電源和地。

Ps?中有電流輸入。因為M1、M2是處于常導通狀態，Ps?中的電流流過M1、M2，流過M1的電流直接到地，而流過M2的電流流入采樣電阻Rs，當通過設置熔絲7控制的M3和/或M4導通時，Ps?中的電流流過它們后，流入采樣電阻Rs。流入的電流在采樣電阻Rs產生電壓Vs后輸出給后續電路。

其中M1、M2、M3、M4的大小以一定的比例設置。所設置的比例值根據電路的具體情況而定。通過熔絲7對M3和/或M4導通狀態的控制，可以通過M2、M3、M4得到不同的采樣電流，因此通過采樣電阻Rs也就可以產生不同的電壓Vs。M2、M3、M4導通的越多，采樣的電流越大，產生的采樣電壓Vs也就越大。最大時為M2、M3、M4全部導通。采樣電流具體見下表1（信號A、B不同狀態對應采樣值）。

實際中，對于M3、M4柵極接電源或地的連接方式，不僅限于是熔絲一種形式，還可以是FIB（聚焦離子束，Focused?Ion?beam)或者其他的能夠調節的連接部件。只要能根據需要控制M3、M4柵極狀態即可。