[發明專利]一種改善刻蝕后硅片外觀的擴散工藝

無效

• 申請號: 201310622663.2
• 申請日: 2013-11-30
• 公開（公告）號: CN103618031A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發明（設計）人: 朱金浩
• 申請（專利權）人: 浙江光隆能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B31/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種改善刻蝕后硅片外觀的擴散工藝，包括升溫、穩定溫度、預氧化、恒溫沉積、推結和冷卻步驟，其中：

升溫：硅片進爐后由780℃升至830℃，時間8min，僅通大N₂；

穩定溫度：在830℃穩定3min，僅通大N₂；

預氧化：在830℃對硅片進行3min的預氧化，O₂比例以體積百分計為15%；

恒溫沉積：在830℃對硅片進行10min的沉積，通入大N₂、O₂和小N₂?的混合氣體，小N₂比例以體積百分計為15%；

推結：進行雜質再分布；

冷卻：將溫度降至780℃，時間10min，僅通大N₂；

其特征在于，所述推結為變溫有氧推結：沉積結束后停止通小N₂，溫度由830℃降至815℃，通入大N₂、O₂進行雜質再分布，控制時間在15min，O₂比例以體積百分計為15%。