[發(fā)明專利]固體絕緣開關(guān)的極柱動端屏蔽結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310620845.6 | 申請日: | 2013-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN103594950A | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王振良;張建宏;湯偉 | 申請(專利權(quán))人: | 麥克奧迪(廈門)電氣股份有限公司 |
| 主分類號: | H02B13/00 | 分類號: | H02B13/00 |
| 代理公司: | 福建煉海律師事務(wù)所 35215 | 代理人: | 許育輝 |
| 地址: | 361102 福建省廈門市翔安*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固體 絕緣 開關(guān) 極柱動端 屏蔽 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
????本發(fā)明涉及輸配電開關(guān)設(shè)備制造領(lǐng)域,尤其是一種固體絕緣開關(guān)的極柱動端屏蔽結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
固體絕緣開關(guān)由于其無SF6氣體,因此對環(huán)境環(huán)保。其外表面有接地的金屬或半導(dǎo)體涂層,運行中人體可觸及;通過利用固體絕緣材料較高的耐受場強以及較為良好的散熱,固體絕緣開關(guān)設(shè)備結(jié)構(gòu)更加緊湊。
目前固封極柱主要由絕緣拉桿、軟連接、下出線端子、滅弧室組件、環(huán)氧樹脂外殼及上出線端子構(gòu)成。由于環(huán)氧外殼接地,極柱動端側(cè)面主要依靠空氣絕緣。受空氣絕緣距離及極柱動端與其連接件形狀所影響,在極柱動端側(cè)電場分布極不均勻,電場強度容易高出空氣的耐受場強,破壞產(chǎn)品的絕緣性能。同時在真空滅弧室中的瓷殼與金屬蓋及環(huán)氧樹脂的三介質(zhì)交界處的電場也會有明顯的惡化。
??申請?zhí)枮椋?01210340230.3的發(fā)明專利公開了一種固封極柱,其極柱動端側(cè)包括有下軟連接、下出線端子、絕緣拉桿。在上出線端和上出線桿的接合部外設(shè)有罩體,可使固封極柱內(nèi)部電場均勻,但是,絕緣層外殼接地,真空滅弧室的極柱動端通過軟連接與下出線端子及絕緣拉桿連接在一起。真空滅弧室下端與環(huán)氧及空氣的三介質(zhì)交界處場強較高,滅弧室與軟連接的連接處及下出線端子的端部容易產(chǎn)生場強集中的問題。由于上述原因?qū)е聵O柱動端側(cè)的電場分布不均,影響固封極柱整體的絕緣性能。
申請?zhí)枮椋?201210329224.8的發(fā)明專利公開了一種固體絕緣極柱動端屏蔽裝置,包括有接地層、絕緣層、真空滅弧室、屏蔽罩及環(huán)形的導(dǎo)電密封圈。絕緣層外殼接地,真空滅弧室的極柱動端通過導(dǎo)電密封圈與屏蔽罩連接一起澆注在所述絕緣層的內(nèi)部。通過絕緣層內(nèi)部的屏蔽罩解決極柱動端場強集中的問題。真空滅弧室中瓷殼與金屬蓋及環(huán)氧樹脂三介質(zhì)交界處的場強集中問題仍得不到改善,且不能解決出線結(jié)構(gòu)中下出線端子端部及其邊緣的電場集中問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種固體絕緣開關(guān)的極柱動端屏蔽結(jié)構(gòu),通過設(shè)在真空滅弧室的極柱動端的屏蔽殼,環(huán)繞三介質(zhì)交界處、軟連接和下出線端子,將高電場轉(zhuǎn)移到絕緣層內(nèi)部,從而解決了屏蔽極柱動端側(cè)的電場分布不均的問題,主要是三介質(zhì)交界處及導(dǎo)電體的邊緣電場值超標的問題。
本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:一種固體絕緣開關(guān)的極柱動端屏蔽結(jié)構(gòu),包括接地層、固化成型的絕緣層、真空滅弧室、真空滅弧室中的瓷殼與金屬蓋及環(huán)氧樹脂組成的三介質(zhì)交界處、下出線端子、軟連接、絕緣拉桿和屏蔽殼,真空滅弧室的下端分別與軟連接、絕緣拉桿連接,所述屏蔽殼設(shè)在真空滅弧室的極柱動端,所述屏蔽殼位于極柱動端外的部分,環(huán)繞三介質(zhì)交界處、下出線端子和軟連接的外部,所述軟連接和下出線端子與屏蔽殼固定連接。
優(yōu)選的,所述屏蔽殼的上端高于三介質(zhì)交界處,其下端低于絕緣拉桿中的金屬與環(huán)氧樹脂的交界處,所述屏蔽殼與真空滅弧室的距離≥2mm,與絕緣層外表面及內(nèi)表面的距離≥3mm。
進一步的,所述屏蔽殼位于極柱動端外的部分為U形片狀。
進一步的,所述屏蔽殼的外邊緣設(shè)有圓翻邊或圓倒角,屏蔽殼上設(shè)有多個通孔。
更進一步的,所述屏蔽殼內(nèi)設(shè)有定位嵌件,軟連接的一端與下出線端子固定在定位嵌件上。
更進一步的,所述軟連接包括多層疊加的金屬片,其側(cè)面尖端突出且層間有空氣隙,且側(cè)面表面包裹一層半導(dǎo)電硅橡膠。
更進一步的,所述軟連接帶有圓角的編織金屬帶。
更進一步的,所述下出線端子邊緣設(shè)有圓翻邊或圓倒角。
本發(fā)明的有益之處在于,通過設(shè)在真空滅弧室的極柱動端的屏蔽殼,環(huán)繞三介質(zhì)交界處、軟連接和下出線端子,將高電場轉(zhuǎn)移到絕緣層內(nèi)部,從而解決了屏蔽極柱動端側(cè)的電場分布不均的問題,主要是三介質(zhì)交界處及導(dǎo)電體的邊緣電場值超標的問題;優(yōu)化了整個極柱動端的電場分布,充分利用固體絕緣材料較高的耐受場強使得整個絕緣結(jié)構(gòu)更加簡單,生產(chǎn)成本較低、可靠性較高,從而發(fā)揮出固體絕緣技術(shù)的優(yōu)勢;使得整個設(shè)備尺寸得以減小,設(shè)備更為緊湊,并且具有更高的可靠性,解決現(xiàn)有產(chǎn)品絕緣薄弱環(huán)節(jié)方面問題,在實現(xiàn)固體絕緣設(shè)備的小型化方面,具有非常重要作用,并有很可觀的經(jīng)濟效益。?
附圖說明
圖1為本發(fā)明的剖視結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明實施例1的屏蔽殼示意圖;
圖3為本發(fā)明實施例2的屏蔽殼示意圖;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于麥克奧迪(廈門)電氣股份有限公司,未經(jīng)麥克奧迪(廈門)電氣股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310620845.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





