[發明專利]利用電控二次電光效應實現入射光偏轉的光開關方法無效
| 申請號: | 201310618933.2 | 申請日: | 2013-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN103605217A | 公開(公告)日: | 2014-02-26 |
| 發明(設計)人: | 宮德維;周忠祥 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號: | G02F1/03 | 分類號: | G02F1/03 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 150000 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 二次 電光 效應 實現 入射 偏轉 開關 方法 | ||
1.利用電控二次電光效應實現入射光偏轉的光開關方法,其特征在于所述方法步驟如下:
步驟一、將兩塊利用提拉法生長出的鉭鈮酸鉀(KTa1-xNbxO3;簡稱KTN)晶體沿[100]、[010]和[001]晶軸方向切割成長方體,之后對各個面進行拋光;
????步驟二、將兩塊晶體的[100]、[010]和[001]晶軸與直角坐標系的x,y,z軸相對應,z軸為整個光學系統中兩塊晶體的光學對稱軸,沿z值增大方向依次為第一塊晶體、第二塊晶體;
????步驟三、分別在第一塊晶體的兩個相對應的平行于x-z面的表面和第二塊晶體的兩個相對應的平行于y-z面的表面上鍍上金屬電極并引出金屬導線,使得施加在第一塊晶體和第二塊晶體上的外電場方向相互垂直;
????步驟四、通過控制環境溫度,使得晶體的溫度高于晶體從鐵電相到順電相的居里溫度1-20攝氏度范圍內;
步驟五、當需要外界激光照射時,兩塊晶體上不施加外電場,激光沿z軸正方向入射,直接透過兩塊晶體;當不需要外界激光照射,在第一塊晶體和第二塊晶體上施加外電場,在外電場的作用下,外界激光通過第一塊晶體時,外界激光中偏振方向平行于y軸的偏振成分將偏離未加電場時的方向,實現x軸方向的偏轉,外界激光中偏振方向平行于x軸的偏振成分照射到第二塊晶體上,實現y軸方向的偏轉。
2.根據權利要求1所述的利用電控二次電光效應實現入射光偏轉的光開關方法,其特征在于所述步驟一中,所用鉭鈮酸鉀晶體的居里溫度為20攝氏度,晶體溫度為22攝氏度。
3.????根據權利要求1所述的利用電控二次電光效應實現入射光偏轉的光開關方法,其特征在于所述步驟三中,在鉭鈮酸鉀晶體表面涂銀膠作為電極或鍍金屬鈦作為電極。
4.????根據權利要求1所述的利用電控二次電光效應實現入射光偏轉的光開關方法,其特征在于所述步驟五中,所用激光器為是半導體激光器或氦-氖激光器。
5.根據權利要求1所述的利用電控二次電光效應實現入射光偏轉的光開關方法,其特征在于所述步驟五中,施加外電場為600V/mm,偏振方向平行于y軸電場方向的偏振成分和偏振方向平行于x軸方向的偏振成分偏離未施加外電場時光束傳播方向1.7度。
6.利用電控二次電光效應實現入射光偏轉的光開關方法,其特征在于所述方法步驟如下:
步驟一、將一塊利用提拉法生長出的鉭鈮酸鉀晶體沿[100]、[010]和[001]晶軸方向切割成長方體,之后對各個面進行拋光;
????步驟二、將晶體的[100]、[010]和[001]晶軸與直角坐標系的x,y,z軸相對應,沿z軸方向依次放置,z軸為整個光學系統中晶體的光學對稱軸,將晶體從垂直于z軸方向平分成兩部分,分別命名為晶體前部分,晶體后部分,沿z值增大方向依次為晶體前部分、晶體后部分;
????步驟三、分別在晶體前部分的兩個相對應的平行于x-z面的表面和晶體后部分的兩個相對應的平行于y-z面的表面上鍍上金屬電極并引出金屬導線,使得施加在晶體前部分和晶體后部分上的外電場方向相互垂直;
????步驟四、通過控制環境溫度,使得晶體的溫度高于晶體從鐵電相到順電相的居里溫度1-20攝氏度范圍內;
步驟五、當需要外界激光照射時,晶體上不施加外電場,激光沿z軸正方向入射,直接透過兩部分晶體;當不需要外界激光照射,在晶體前部分和晶體后部分上施加外電場,在外電場的作用下,外界激光通過晶體前部分時,外界激光中偏振方向平行于y軸的偏振成分將偏離未加電場時的方向,實現x軸方向的偏轉,從側面出射,外界激光中偏振方向平行于x軸的偏振成分照射到晶體后部分上,實現y軸方向的偏轉。
7.????根據權利要求6所述的利用電控二次電光效應實現入射光偏轉的光開關方法,其特征在于所述步驟一中,所用鉭鈮酸鉀晶體的居里溫度為20攝氏度,晶體溫度為22攝氏度。
8.根據權利要求6所述的利用電控二次電光效應實現入射光偏轉的光開關方法,其特征在于所述步驟三中,在鉭鈮酸鉀晶體表面鍍金屬鈦作為電極。
9.?根據權利要求6所述的利用電控二次電光效應實現入射光偏轉的光開關方法,其特征在于所述步驟五中,所用激光器為是半導體激光器或氦-氖激光器。
10.根據權利要求7所述的利用電控二次電光效應實現入射光偏轉的光開關方法,其特征在于所述步驟五中,施加外電場為600V/mm,偏振方向平行于y軸電場方向的偏振成分和偏振方向平行于x軸方向的偏振成分偏離未施加外電場時的光束傳播方向1.7度。
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