[發明專利]新型Plasma-MIG復合焊送絲機構及控制方法無效
| 申請號: | 201310618406.1 | 申請日: | 2013-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN103639605A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發明(設計)人: | 王學遠;楊學勤;成群林;劉森;姜恒 | 申請(專利權)人: | 上海航天精密機械研究所 |
| 主分類號: | B23K28/02 | 分類號: | B23K28/02;B23K9/12 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭國中 |
| 地址: | 201699*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 新型 plasma mig 復合 焊送絲 機構 控制 方法 | ||
技術領域
本發明涉及復合電弧焊接過程控制技術領域,具體地,涉及新型Plasma-MIG復合焊送絲機構及控制方法。
背景技術
Plasma-MIG焊接技術屬于復合熱源焊接工藝,Plasma-MIG焊是等離子弧焊與熔化極氣體保護焊(MIG)兩種方法的結合,其利用等離子電弧對傳統MIG焊接過程進行保護,具有焊絲熔化速度塊、焊接過程穩定、接頭質量高等特點。該焊接方法的核心技術在于能夠獲得穩定燃燒的復合電弧。焊接時,通常先利用焊絲爆斷建立MIG電弧,然后在環形陽極上激發等離子電弧的方式實現電弧的復合。由于復合焊槍結構獨特,焊絲干伸長大,造成短路引弧過程飛濺大,爆斷的焊絲易引起焊槍內部發生短路,造成等離子電弧不穩定甚至不能引弧,對焊接質量及焊槍壽命造成不利影響。
發明內容
針對現有技術中的缺陷,本發明的目的在于設計一套新的送絲機構及起弧控制方法,解決Plasma-MIG復合電弧焊接時電弧復合成功率低,起弧飛濺大的問題。
根據本發明的一個方面,提供一種新型Plasma-MIG復合焊送絲機構,包括:等離子電源、MIG電源、Plasma-MIG復合焊槍、同步觸發控制裝置、主送絲輪組、輔助送絲輪組;
Plasma-MIG復合焊槍的遠端和近端分別設置有主送絲輪組和輔助送絲輪組;同步觸發裝置用于確保主送絲輪組與輔助送絲輪組的同步運動狀態;等離子電源和MIG電源均連接Plasma-MIG復合焊槍。
優選地,同步觸發裝置控制主送絲輪組和輔助送絲輪組先正向送進焊絲,焊絲末端出現MIG電弧后,同步觸發裝置控制主送絲輪組和輔助送絲輪組反向旋轉回抽焊絲。
根據本發明的另一個方面,提供一種新型Plasma-MIG復合焊送絲機構的控制方法,包括如下步驟:
步驟一:焊前設定工藝參數,然后等待起弧命令;
步驟二:接受起弧命令后初始化控制程序,檢測主送絲輪組與輔助絲輪組的同步運動狀態,然后返回狀態檢測值;
步驟三:當主送絲輪組與輔助絲輪組同步運動狀態良好時,正向送絲,同時檢測回路中焊絲電流的大小,焊絲上出現電流信號后,表明焊絲接觸工件表面,MIG電弧出現;
步驟四:MIG電流出現后,控制主送絲輪組與輔助絲輪組反轉,回抽焊絲,MIG電弧隨著焊絲回抽開始上升,同時檢測MIG電流值和等離子弧電流值,MIG電流值為零時重復步驟三;當電弧長度爬升到達一定值時,檢測等離子回路中出現的等離子電流,其中,拉絲過程中,設定焊絲回拉極限值,放置焊槍損壞,若超過極限值后仍未檢測到等離子電流,則焊接電源存在故障,重新初始化程序;
步驟五:MIG電弧和等離子電弧都成功引燃后,控制主送絲輪組與輔助絲輪組短暫停頓,回路中僅存在等離子電弧,確保等離子電弧在環形陽極下端面均勻分布;
步驟六:調入預先設定好的工藝參數,控制主送絲輪組與輔助絲輪組正向送絲,回路中再次出現MIG電弧后表明電弧復合成功,開始焊接過程。
優選地,在步驟三中以第一速度正向送絲,在步驟六中以第二速度正向送絲,第二速度大于第一速度。
與現有技術相比,本發明具有如下的有益效果:
本發明完成了Plasma-MIG復合焊接送絲機構硬件設計和控制軟件的設計,消除了引弧過程飛濺,提高了電弧復合成功率,有利于增加復合焊槍使用壽命,改善焊接質量。
附圖說明
通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述,本發明的其它特征、目的和優點將會變得更明顯:
圖1為Plasma-MIG復合電弧起弧控制程序原理圖。
圖2為Plasma-MIG復合電弧起弧過程信號變化。
圖3為Plasma-MIG復合焊系統構成。
圖中:1-等離子電源,2-MIG電源,3-Plasma-MIG復合焊槍,4-同步觸發控制裝置,5-主送絲機,6-輔助送絲機,7-焊絲,8-等離子陽極,9-等離子電弧,10-MIG電弧。
具體實施方式
下面結合具體實施例對本發明進行詳細說明。以下實施例將有助于本領域的技術人員進一步理解本發明,但不以任何形式限制本發明。應當指出的是,對本領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明構思的前提下,還可以做出若干變形和改進。這些都屬于本發明的保護范圍。
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