[發明專利]一種RB-IGBT的制備方法

在審

• 申請號: 201310618201.3
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN103632960A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 滕淵;朱陽軍;盧爍今;田曉麗
• 申請（專利權）人: 上海聯星電子有限公司;中國科學院微電子研究所;江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉杰

1.一種RB-IGBT的制備方法，其特征在于，包含：

步驟一：在襯底上生長一層N型外延層；

步驟二：對所述N型外延層中需要隔離的區域進行摻雜，形成隔離區，然后退火同時將所述隔離區推深；

步驟三：在上一步驟形成的N型外延層的表面生長一層N型外延層；

步驟四：對上一步驟形成的所述N型外延層中需要隔離的區域進行摻雜，形成隔離區；

根據需要的隔離區厚度，重復所述步驟三和步驟四。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述摻雜包含P+注入，在形成所述隔離區后，進行退火的同時，并將所述隔離區推深。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述摻雜包含在N型外延層通過挖槽并填充摻雜的P型多晶硅，并進行熱擴散。