[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310617911.4
• 申請(qǐng)日: 2013-11-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104681493B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新鵬;寧先捷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11524
• 分類號(hào): H01L27/11524
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底內(nèi)具有若干隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的表面高于所述襯底的表面；在所述襯底和隔離結(jié)構(gòu)表面形成器件層；對(duì)所述器件層進(jìn)行拋光工藝，直至暴露出隔離結(jié)構(gòu)表面為止，所述拋光工藝對(duì)于器件層和隔離結(jié)構(gòu)的拋光速率相同；在所述拋光工藝之后，采用干法處理工藝去除所述器件層和隔離結(jié)構(gòu)表面的殘余物質(zhì)。所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形貌良好、性能穩(wěn)定。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。

背景技術(shù)

在目前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，集成電路產(chǎn)品主要可分為三大類型：模擬電路、數(shù)字電路和數(shù)/模混合電路，其中存儲(chǔ)器件是數(shù)字電路中的一種重要器件類型。近年來(lái)，存儲(chǔ)器件中的閃存（flash memory）發(fā)展尤為迅速。閃存的主要特點(diǎn)是在不加電的情況下能長(zhǎng)期保持存儲(chǔ)的信息；且閃存具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫等優(yōu)點(diǎn)，因而在微機(jī)、自動(dòng)化控制等多項(xiàng)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種閃存存儲(chǔ)單元的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括：襯底10；位于所述襯底10表面的隧穿氧化層11；位于隧穿氧化層11表面的浮柵12，所述隧穿氧化層11和浮柵12內(nèi)具有暴露出襯底10的開(kāi)口（未標(biāo)識(shí)）；位于所述浮柵12頂部表面、且覆蓋所述開(kāi)口側(cè)壁的側(cè)墻13；位于所述開(kāi)口底部襯底10表面的源線層14，所述源線層14覆蓋側(cè)墻13的部分表面，且所述源線層14的表面不高于所述側(cè)墻13的頂部；位于側(cè)墻13、源線層14和浮柵12外側(cè)的字線層15，所述字線層15與浮柵12之間通過(guò)絕緣層16電隔離。

形成于同一襯底上的若干閃存存儲(chǔ)單元的浮柵需要由隔離結(jié)構(gòu)進(jìn)行電隔離，圖2是隔離閃存存儲(chǔ)單元浮柵的隔離結(jié)構(gòu)的示意圖，包括：襯底20，所述襯底20具有浮柵區(qū)21和隔離區(qū)22；位于浮柵區(qū)21的襯底20表面的隧穿氧化層25、以及位于隧穿氧化層25表面的浮柵層23；位于隔離區(qū)22的襯底20內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu)24，所述隔離結(jié)構(gòu)24具有相鄰的第一區(qū)域A和第二區(qū)域B，如圖1所示的源線層14橫跨隔離結(jié)構(gòu)24的第一區(qū)域A，而與隔離結(jié)構(gòu)24的第二區(qū)域B相對(duì)應(yīng)的部分浮柵層23在后續(xù)工藝中被刻蝕去除。

然而，現(xiàn)有技術(shù)所形成的浮柵層和隔離結(jié)構(gòu)的形貌不良，使得所形成的閃存存儲(chǔ)單元的性能不穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，提高所形成的器件層和隔離層的形貌，使所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能穩(wěn)定。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底內(nèi)具有若干隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的表面高于所述襯底的表面；在所述襯底和隔離結(jié)構(gòu)表面形成器件層；對(duì)所述器件層進(jìn)行拋光工藝，直至暴露出隔離結(jié)構(gòu)表面為止，所述拋光工藝對(duì)于器件層和隔離結(jié)構(gòu)的拋光速率相同；在所述拋光工藝之后，采用干法處理工藝去除所述器件層和隔離結(jié)構(gòu)表面的殘余物質(zhì)。

可選的，所述隔離結(jié)構(gòu)的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，所述器件層的材料為多晶硅。

可選的，所述干法處理工藝的氣體包括含氟氣體，所述干法處理工藝對(duì)于器件層和隔離結(jié)構(gòu)的刻蝕速率相同。

可選的，所述干法處理的氣體包括Ar、He、CF₄、CHF₃，所述Ar的流量為100sccm～800sccm，He的流量為50sccm～200sccm，CF₄的流量為20sccm～300sccm，CHF₃的流量為10sccm～200sccm。

可選的，所述干法處理工藝減薄器件層和隔離結(jié)構(gòu)的厚度，減薄后的器件層和隔離結(jié)構(gòu)表面相對(duì)于減薄前降低30埃～80埃。

可選的，所述殘余物質(zhì)包括硅材料。

可選的，所述器件層作為浮柵，所述浮柵用于構(gòu)成閃存存儲(chǔ)單元。