[發(fā)明專利]一種Trench?RB?IGBT的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310616655.7
• 申請(qǐng)日: 2013-11-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103617954B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 滕淵;朱陽(yáng)軍;盧爍今;田曉麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海聯(lián)星電子有限公司;中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/331
• 分類號(hào): H01L21/331
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所11302
• 代理人: 劉杰

1.一種Trench-RB-IGBT的制備方法，其特征在于，包含：制作IGBT的正面結(jié)構(gòu)；

在所述IGBT的背面刻蝕形成垂直溝槽；

對(duì)所述溝槽的槽壁進(jìn)行B離子注入；

向所述溝槽填充SiO₂，得到所述Trench-RB-IGBT；

其中，所述溝槽周期地形成于相鄰的有效區(qū)之間，通過(guò)刻蝕深槽將耗盡區(qū)的彎曲部分截?cái)?，避免曲率效?yīng)引起的擊穿電壓不足，通過(guò)離子注入避免了耗盡區(qū)終止于材料斷面而發(fā)生的表面漏 電。