[發明專利]一種測量LED內量子效率的方法有效
| 申請號： | 201310616446.2 | 申請日： | 2013-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN103645033A | 公開（公告）日： | 2014-03-19 |
| 發明（設計）人： | 魏學成;趙麗霞;張連;于治國;王軍喜;曾一平;李晉閩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | G01M11/02 | 分類號： | G01M11/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 測量 led 量子 效率 方法 | ||
1.一種利用變激光激發密度熒光光譜測試LED內量子效率的方法，包括如下步驟：
步驟S1：制作測試樣品，所述測試樣品具有量子阱結構，從下至少依次包括襯底、低溫成核層、低溫緩沖層、n型層、有源區和p型層；
步驟S2：將LED樣品裝入光譜儀的樣品室內，在激光器到樣品的光路上放置圓衰減片，通過調節衰減片位置，實現激光功率的連續可調；然后放置一分光光路，其分光比例一定，通過分支光路的實時測量來獲取測試光路的激光功率，并測量測試光路的光斑大小來獲得激光激發密度；
步驟S3：通過改變激光圓衰減片位置，測量不同的激光功率并計算相應的激光激發密度，然后通過探測器獲得相應的熒光光譜；
步驟S4：計算并列表激光激發密度和對應的熒光光譜積分強度；
步驟S5：根據速率方程和內量子效率定義，擬合得出內量子效率。
2.根據權利要求1所述的利用變激光激發密度熒光光譜測試LED內量子效率的方法，其特征在于，所述測試樣品為紫外、藍光和綠光等GaN基LED外延片或紫外、藍光和綠光GaN基多量子阱外延片。
3.根據權利要求1所述的利用變激光激發密度熒光光譜測試LED內量子效率的方法，其特征在于所述熒光光譜儀為穩態激光激發光致發光光譜儀，其激發光源的最大激發密度達到50MW/cm2，其波長為相應的共振激發波長。
4.根據權利要求1所述的利用變激光激發密度熒光光譜測試LED內量子效率的方法，其特征在于，所述分光光路比例為10％：90％。
5.根據權利要求1所述的利用變激光激發密度熒光光譜測試LED內量子效率的方法，其特征在于，在步驟S5中，根據公式計算所述內量子效率，其中，ηIQE為內量子效率，ηc為光致發光譜(PL)收集系數，IPL為光致發光譜的積分強度，IPL＝ηcBN2，其中，B為輻射復合系數，N為載流子濃度，
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