[發(fā)明專利]鈦摻雜氮鋯酸鎂發(fā)光薄膜、含其的電致發(fā)光器件及二者的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310616259.4
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN104673294A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明杰;陳吉星;王平;黃輝
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/67
• 分類號: C09K11/67;H01L33/50
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

1.一種鈦摻雜氮鋯酸鎂發(fā)光薄膜，其特征在于，所述鈦摻雜氮鋯酸鎂發(fā)光薄膜的化學(xué)通式為MeZr₂O₂N₂∶xMn⁴⁺,yTi⁴⁺；其中，

MeZr₂O₂N₂是基質(zhì)，Mn⁴⁺和Ti⁴⁺為激活元素；

x的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.005~0.03；

Me為Mg、Ca、Ba或Sr。

2.如權(quán)利要求1所述的鈦摻雜氮鋯酸鎂發(fā)光薄膜，其特征在于，x取值為0.03，y取值為0.01。

3.一種鈦摻雜氮鋯酸鎂發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（a）按照摩爾比1：0.5：0.5：x：y，分別稱取MeO，ZrO₂，Zr₃N₄，MnO₂和TiO₂粉體，經(jīng)過混合均勻后，在900~1300℃下燒結(jié)，制成靶材；其中，x的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.005~0.03；Me為Mg、Ca、Ba或Sr；

（b）將步驟（a）中得到的靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)，再把襯底裝入所述真空腔體內(nèi)，并將所述真空腔體的真空度設(shè)置在?1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa之間；

（c）所述靶材與所述襯底之間的距離為50~90mm；所述襯底的溫度為350℃~750℃；所述磁控濺射鍍膜設(shè)備的工作氣體為15~30sccm流量的氬氣，所述氬氣的壓強(qiáng)為0.2~4Pa；通過所述磁控濺射鍍膜設(shè)備和所述靶材在所述襯底進(jìn)行鍍膜，得到薄膜樣品，從而得到化學(xué)通式為MeZr₂O₂N₂∶xMn⁴⁺,yTi⁴⁺的所述鈦摻雜氮鋯酸鎂發(fā)光薄膜；其中，MeZr₂O₂N₂是基質(zhì)，Mn⁴⁺和Ti⁴⁺為激活元素。

4.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括步驟（d），所述步驟（d）為：將步驟（c）制得的所述薄膜樣品于500℃~800℃下真空退火處理1~3h。

5.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述的步驟（a）中，x取值均為0.03，y取值均為0.01。

6.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述的步驟（c）中，所述靶材與所述襯底之間的距離為70mm；所述襯底的溫度為500℃；所述磁控濺射鍍膜設(shè)備的工作氣體為20sccm流量的氬氣，所述氬氣為1Pa。

7.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，在所述的步驟（d）中，所述真空退火溫度為600℃，所述退火時間為2h。

8.一種電致發(fā)光器件，其為復(fù)合層狀結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃基片、陽極層、發(fā)光層以及陰極層，其特征在于，所述發(fā)光層為鈦摻雜氮鋯酸鎂發(fā)光薄膜，所述鈦摻雜氮鋯酸鎂發(fā)光薄膜的化學(xué)通式為MeZr₂O₂N₂∶xMn⁴⁺,yTi⁴⁺；其中，

MeZr₂O₂N₂是基質(zhì)，Mn⁴⁺和Ti⁴⁺為激活元素；

x的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.005~0.03；

Me為Mg、Ca、Ba或Sr。

9.如權(quán)利要求8所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，x取值為0.03，y取值為0.01。

10.一種電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

首先制備依次層疊的玻璃基片和陽極層；

然后在所述陽極層上通過磁控濺射鍍膜設(shè)備制得鈦摻雜氮鋯酸鎂發(fā)光薄膜，從而形成發(fā)光層，所述鈦摻雜氮鋯酸鎂發(fā)光薄膜的化學(xué)通式為MeZr₂O₂N₂∶xMn⁴⁺,yTi⁴⁺；其中，MeZr₂O₂N₂是基質(zhì)，Mn⁴⁺和Ti⁴⁺為激活元素；x的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.005~0.03；Me為Mg、Ca、Ba或Sr；

最后在制得的發(fā)光層蒸鍍一銀層，所述銀層形成陰極層，從而得到所述電致發(fā)光器件。