[發(fā)明專利]一種大馬士革銅互連工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310616091.7 | 申請日： | 2013-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN103824806A | 公開（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉斌;曾林華;任昱;呂煜坤;張旭昇 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 大馬士革 互連 工藝 | ||
1.一種大馬士革銅互連工藝，其特征在于，所述工藝包括：
S1、于一襯底結(jié)構(gòu)的表面依次形成阻擋層、低k介質(zhì)層、低k覆蓋層和金屬硬質(zhì)掩膜層；
S2，依次刻蝕所述金屬硬質(zhì)掩膜層、所述低k覆蓋層至所述低k介質(zhì)層中，形成銅互連溝槽；
S3、回刻所述剩余的金屬硬質(zhì)掩模層，以擴(kuò)展所述銅互連溝槽的開口端；
S4、繼續(xù)后續(xù)銅擴(kuò)散阻擋層及銅互連溝槽填充的制備工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大馬士革銅互連工藝，其特征在于，所述步驟S2包括：
S201，于金屬硬質(zhì)掩膜層上方旋涂光刻膠，經(jīng)曝光、顯影后，形成具有柵極圖形的光阻；
S202，以所述光阻為掩膜，依次刻蝕所述金屬硬質(zhì)掩膜層、所述低k覆蓋層至所述低k介質(zhì)層中，形成銅互連溝槽；
S203，去除所述光阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大馬士革銅互連工藝，其特征在于，所述步驟S3具體為，各向同性回刻所述剩余的金屬硬質(zhì)掩模層，以擴(kuò)展所述銅互連溝槽的開口端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大馬士革銅互連工藝，其特征在于，所述金屬硬質(zhì)掩膜層為氮化鈦。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大馬士革銅互連工藝，其特征在于，采用等離子刻蝕工藝刻蝕所述剩余的金屬硬質(zhì)掩模層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大馬士革銅互連工藝，其特征在于，通過調(diào)整所述等離子刻蝕的工藝參數(shù)來控制刻蝕后的金屬硬質(zhì)掩模層的寬度、側(cè)壁形貌。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大馬士革銅互連工藝，其特征在于，所述銅擴(kuò)散阻擋層為TaN。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大馬士革銅互連工藝，其特征在于，采用物理氣相沉積沉積所述銅擴(kuò)散阻擋層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大馬士革銅互連工藝，其特征在于，所述低k介質(zhì)層為二氧化硅或者氮氧化硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大馬士革銅互連工藝，其特征在于，所述低k覆蓋層為FSG或者SiCOH。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
