[發明專利]一種用在雙極型集成電路中的高速結型場效應晶體管

在審

• 申請號: 201310615925.2
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN103618005A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 蘇州貝克微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/808
• 分類號: H01L29/808;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用在雙極型集成電路中的高速結型場效應晶體管，其特征是：一種高速結型場效應晶體管包括一個導電型的硅半導體襯底區，導電型相反的第一和第二區形成在導電型的硅半導體襯底區表面，延伸到導電型的硅半導體襯底區，使相互間隔，導電型相反的第一和第二區形成高速結型場效應晶體管的一個源極和漏極，在導電型的硅半導體襯底區，導電型相反的薄溝道互聯導電型相反的第一和第二區，一個導電型的薄的表面柵層覆蓋在導電型相反的溝道區，并且從導電型相反的第一區延伸到第二區，導電型的薄表面柵層的接觸表面延伸在導電型相反的第一和第二區之間，并且電氣隔離導電型的硅半導體襯底區，導電型的薄表面柵層的接觸表面包括一個導電型的多晶硅層并延伸在整個表面柵層的表面，具有的導電性比導電型的薄表面柵層的導電性強，在導電型相反的溝道區和導電型的表面柵層下面的襯底區由高速結型場效應晶體管的電隔離門和導電型的多晶硅層上的鋁金屬觸頭組成。

2.根據權利要求1所述的一種用在雙極型集成電路中的高速結型場效應晶體管，其特征是：高速結型場效應晶體管中導電型的薄表面柵層包括從導電型的多晶硅層擴散到其中的雜質。

3.根據權利要求1所述的一種用在雙極型集成電路中的高速結型場效應晶體管，其特征是：一種高速結型場效應晶體管包括一個導電型的硅半導體襯底區，導電型相反的第一和第二區形成在導電型的硅半導體襯底區表面，使相互隔離，導電型相反的第一和第二區形成高速結型場效應晶體管的一個源極和漏極，在導電型的硅半導體襯底區，一個導電型相反的薄溝道區，互聯導電型相反的第一和第二區，導電型相反的一個薄的表面柵層覆蓋在導電型相反的薄溝道區，并且從導電型相反的第一區延伸到第二區，接觸表面在導電型相反的第一和第二區間的表面柵區，并且電氣隔離導電型的硅半導體襯底區，上述接觸表面包括一個導電型的多晶硅層，具有的導電性比導電型相反的薄表面柵層強，在導電型相反的薄溝道區和導電型相反的薄表面柵層下面的襯底區由高速結型場效應晶體管的電隔離門組成，導電型相反的薄表面柵層和導電型相反的薄溝道區的一個上部區包括導電型的多晶硅層擴散到其中的雜質和導電型的多晶硅層上的鋁金屬觸頭。

4.根據權利要求3所述的一種用在雙極型集成電路中的高速結型場效應晶體管，其特征是：場效應晶體管中的半導體襯底區包括一個外延層，并進一步包括一個在上述外延層上形成的導電型相反的襯底。

5.根據權利要求4所述的一種用在雙極型集成電路中的高速結型場效應晶體管，其特征是：場效應晶體管進一步包括一個上述第一個導電型的埋層，該埋層在上述外延層的界面和定位在第一和第二區下面的導電型相反的襯底上形成。

6.根據權利要求5所述的一種用在雙極型集成電路中的高速結型場效應晶體管，其特征是：場效應晶體進一步包括上述導電型相反的隔離區，該隔離區從上述的外延層的表面延伸到導電型相反的襯底和導電型相反的第一和第二區的周圍。