[發明專利]干式積層陶瓷電容器的漏電流特性改善方法

有效

• 申請號: 201310614219.6
• 申請日: 2013-11-25
• 公開（公告）號: CN103745828A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 高在洪
• 申請（專利權）人: 大連天壹電子有限公司
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005
• 代理公司: 大連智高專利事務所(特殊普通合伙) 21235
• 代理人: 胡景波

技術領域

本發明涉及一種干式積層陶瓷電容器的改進方法，尤其是干式積層陶瓷電容器漏電流特性的改善方法。

背景技術

MLCC—即片式多層陶瓷電容器(Multi-layer?ceramic?capacitors)作為多層電鍍金屬膜來制造的電容器，是臨時蓄電的配件。主要用在TV,VCR,PC，汽車電子，移動通信，數碼AV機，電腦等電器中，起到直流(DC-blocking)、分流(By-passing)以及交流等作用。

制造MLCC的方式是內部電極層和電介層重疊積層使多個電容器并列連接構成。其中形成電極層與電介層的方法分為兩種。第一，原材料使用液狀原料，利用印有電極圖形陶瓷材質的電介體薄片的濕式方法。第二，利用高真空的濺射方法，化學氣象蒸鍍方法和使用光掩膜（Photo?mask）的照片蝕刻方法等利用半導體工藝方式的干式方法。其中干式方法使用精密的高真空濺射和化學氣象蒸鍍技術，與使用液狀原料的濕式方法相比在技術局限上可實現電極層和電介層的薄膜化和精密化，圖形的細微化。但在廣泛的材料研發中還有些不足。

更為棘手的問題是，為了改善電容器漏電流的特性，本領域的技術人員采取了很多辦法，比如在濕式方法中使用液狀原料形成電介膜是除了粉末材料外混合多種少量的稀土類金屬添加劑，但都很難達到優秀的解決漏電流效果。

發明內容

本發明是為了解決現有技術中存在的干式積層陶瓷電容器的漏電流特性難以改進的問題。提出了一種干式積層陶瓷電容器漏電流特性的改善方法。

本發明的技術方案如下：

干式積層陶瓷電容器的漏電流特性改善方法，包括以下步驟：

S1：晶片準備階段;

S2:指定晶片上的電極層和電介層的積層層數階段;

S3：在晶片上形成初始絕緣層的階段；

S4：在初始絕緣層上形成電極層的階段；

S5：在電極層上形成電介層的階段；

S6：電極層和電介層反復實施積層的階段；

S7：積層后，電極層和電介層熱處理的階段；

S8：熱處理后形成保護層的階段；

S9：形成保護層后，晶片背面研磨階段；

S10：晶片背面研磨后以芯片形態切割階段；

S11：切割后的芯片形成外部電極的階段。

進一步的，所述的電極層是采用高真空濺鍍著膜的方法而得，其層狀結構從下至上由下部擴散防止膜、電極膜以及上部擴散防止膜層疊組成。

進一步的，所述的下部擴散防止膜和上部擴散防止膜的材料為氮化鈦或氮化鉭。

進一步的，所述的電極膜材料是銅，銀或鋁。

進一步的，所述的下部擴散防止膜和上部擴散防止膜的厚度均為電極膜厚度的20%以下。

進一步的，電極膜的邊緣用擴散防止膜完全封住。

進一步的，所述的電介層為非結晶電介層，其材料為氧化鋁、氧化鈦或氧化鋯。

進一步的，所述的電介層的為多種氧化膜構成的非結晶復合電介層。

本發明有益效果如下：

第一，形成電極層時使用電極膜的擴散防止膜，阻止漏電流造成的電極膜離子滲透到電介層。第二，形成電介層時抑制電介膜內存留的金屬離子的擴散。第三，電極層或電介層形成時通過后續的熱處理清除電極膜或電介膜內殘留的有機化合物或水化物等妨礙漏電流特性的不必要成分，最終可提供高品質電容器的（MLCC）制造方法。

綜上所述，本發明利用高真空濺射技術和化學氣象蒸鍍技術形成電極層和電介層，從而達到薄膜化和精密化，在通過改善蒸鍍條件提高漏電流特性。最終提供了一種在外部環境變化下具有較強穩定性的高品質的MLCC制造方法。

附圖說明

本發明共有附圖4幅。

圖1是本發明工藝流程示意圖；

圖2是本發明電極層的層狀結構示意圖；

圖3是本發明電介層的漏電流示意圖；

圖4是現有技術（改善前）和本發明（改善后）漏電流情況對比圖。

在圖中，1-晶片；2-PR;3-下部擴散防止膜；4-電極膜；5-上部擴散防止膜；6-下部電極層；7-電介層；8-上部電極層。

在圖2中，A是結晶化后的電介層漏電流示意圖；B是本發明提供的非結晶性物質復合膜電介層漏電流示意圖。

具體實施方式

如圖1-3所示，干式積層陶瓷電容器漏電流特性的改善方法，包括以下步驟：

S1：晶片準備階段;

S2:指定晶片上的電極層和電介層的積層層數階段;