[發明專利]復原多個存儲單元的陣列的方法、電子裝置及控制器

在審

• 申請號: 201310613721.5
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN104681089A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 張坤龍;郭乃萍;陳耕暉;林兆欣
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

技術領域

本發明是有關于一種方法、電子裝置及控制器，且特別是有關于一種復原多個存儲單元的陣列的方法、電子裝置及控制器。

背景技術

在閃存中，數據通過捕獲電荷所建立的存儲單元的閾值狀態來進行儲存。通過感測存儲單元的閾值狀態，數據可以被讀取。然而，隨著存儲單元的尺寸縮小，電荷保持(charge?retention)及其數據保持可能會受到影響。長時間儲存數據的非易失性存儲器中，在電源經常開啟/關閉的情況下，數據保存成為相當重要的效能因素。

目前急需提供適當的技術來改善非易失存儲器的效能，以改善集成電路存儲器的數據保存能力。

發明內容

本發明是有關于一種復原多個存儲單元的陣列的方法、電子裝置及控制器，其利用輸入一復原控制信號(recovery?control?signal)來執行一保持寫入程序(retention?writing?procedure)，使得儲存于存儲單元的數據可以長時間儲存。

根據本發明的第一方面，提出一種復原多個存儲單元的陣列的方法(method?for?recovering?an?array?of?memory?cells)。復原存儲單元的陣列的方法包括以下步驟。判斷一復原控制信號(recovery?control?signal)是否已被接收。若復原控制信號已被接收，則執行一保持檢查程序(retention?checking?procedure)以識別位于高閾值狀態的存儲單元的至少一位的一閾值電壓分布(threshold?voltage?distribution)是否已飄移(shift)。若位于高閾值狀態的存儲單元未通過保持檢查程序，則執行一保持寫入程序(retention?writing?procedure)于此些存儲單元。

根據本發明的一第二方面，提出一種電子裝置。電子裝置包括多個存儲單元的陣列(array?of?memory?cells)及一控制器。控制器包括一保持檢查電路(retention?checking?circuit)及一保持寫入電路(retention?writing?circuit)。若一復原控制信號(recovery?control?signal)已被接收，則保持檢查電路執行一保持檢查程序(retention?checking?procedure)以識別位于高閾值狀態的存儲單元的至少一位的一閾值電壓分布(threshold?voltage?distribution)是否已飄移(shift)。若位于高閾值狀態的存儲單元未通過保持檢查程序，則保持寫入電路執行一保持寫入程序(retention?writing?procedure)于此些存儲單元。

根據本發明的一第三方面，提供一種控制器。控制器設置于一電子裝置中。電子裝置包括多個存儲單元的陣列(array?of?memory?cells)及一控制器。控制器包括一保持檢查電路(retention?checking?circuit)及一保持寫入電路(retention?writing?circuit)。若一復原控制信號(recovery?control?signal)已被接收，則保持檢查電路執行一保持檢查程序(retention?checking?procedure)以識別位于高閾值狀態的存儲單元的至少一位的一閾值電壓分布(threshold?voltage?distribution)是否已飄移(shift)。若位于高閾值狀態的存儲單元未通過保持檢查程序，則保持寫入電路執行一保持寫入程序(retention?writing?procedure)于此些存儲單元。

為了對本發明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1繪示一電子裝置的示意圖。

圖2繪示存儲單元的閾值電壓分布圖。

圖3繪示一復原存儲單元的陣列的方法的流程圖。

圖4繪示存儲單元的數種操作模式。

【符號說明】

1000：電子裝置

110：存儲單元

120：控制器

121：保持檢查電路

122：保持寫入電路

123：地址標識電路

C1、C1’：高閾值分布

C2：低閾值分布

M1：電力開啟狀態

M2：待命狀態

M3：寫入狀態

M4：讀取狀態

PV0、PV1、PV2：電壓電平